时间：2025/5/10 13:48:19
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FQB7N20是一种N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高频开关和功率转换应用。该器件采用TO-252封装形式，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适合在各种电力电子设备中使用，例如电源适配器、DC-DC转换器以及电机驱动等场景。
其主要特点包括高电流处理能力、低栅极电荷和出色的热性能。通过优化设计，FQB7N20能够在保持高效运行的同时减少能量损耗，从而提升系统的整体性能。
最大漏源电压：200V
连续漏极电流：7A
导通电阻：0.35Ω
栅源开启电压：2.1V
总栅极电荷：15nC
输入电容：480pF
功耗：6.3W
工作温度范围：-55℃至150℃
FQB7N20具有以下显著特性：
1. 高耐压能力：能够承受高达200V的最大漏源电压，适用于高压环境下的电路设计。
2. 低导通电阻：0.35Ω的导通电阻可以有效降低传导损耗，提高效率。
3. 快速开关能力：低栅极电荷和输入电容使其具备快速的开关速度，非常适合高频应用。
4. 小型封装：TO-252封装节省了PCB空间，同时提供了良好的散热性能。
5. 宽工作温度范围：从-55℃到150℃的工作温度范围确保了器件在极端条件下的可靠性。
FQB7N20广泛应用于以下领域：
1. 开关电源：如AC-DC和DC-DC转换器中的主开关或同步整流元件。
2. 电机驱动：用于小型直流电机或步进电机的驱动电路。
3. 负载开关：在电池供电设备中作为高效的负载控制元件。
4. 保护电路：过流保护和短路保护等功能模块中的关键组件。
5. 照明系统：LED驱动器和其他照明应用中的功率调节单元。
FQD7N20, IRFZ44N, STP7NK60Z
