类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：900V
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　连续漏极电流（ID）：6A
　　功耗（PD）：75W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-220

FQB6N90C 采用先进的平面条形沟槽工艺技术，提供了优异的导通和开关性能。其主要特性包括：
　　1. 高耐压能力：900V的漏源击穿电压（VDS）使其适用于高电压应用场景，如AC/DC转换器和功率因数校正（PFC）电路。
　　2. 低导通电阻（RDS(on)）：在VGS = 10V时，RDS(on)通常低于2.2Ω，从而减少了导通损耗并提高了系统效率。
　　3. 快速开关性能：该MOSFET具有较低的输入电容（Ciss）和门极电荷（Qg），有助于减少开关损耗，提高开关频率下的性能。
　　4. 高可靠性：具备出色的雪崩能量耐受能力和抗短路能力，确保在恶劣工作条件下也能稳定运行。
　　5. 热性能优异：采用TO-220封装，散热性能良好，适合高功率密度设计。
　　此外，该器件符合RoHS环保标准，适用于各种绿色电子设备的设计。

FQB6N90C 广泛应用于多种电力电子系统中，包括：
　　1. 开关电源（SMPS）：如AC/DC适配器、电源模块等，用于主开关或同步整流电路。
　　2. 功率因数校正（PFC）电路：在PFC升压拓扑中作为高频开关器件，提高电源效率和输入功率因数。
　　3. DC-DC转换器：用于隔离或非隔离式转换器中，如反激、正激、半桥、全桥等拓扑结构。
　　4. 电机驱动和逆变器：作为功率开关用于控制电机速度或驱动无刷直流电机。
　　5. LED照明电源：在高效率LED驱动电源中作为主开关器件。
　　6. 家用电器和工业设备：如变频空调、UPS不间断电源、工业电源等高可靠性应用领域。

FQA6N90C, FQP6N90C, FQPF6N90C