时间：2025/4/29 15:42:25
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FQB6N60C 是一款由 Fairchild（现为 ON Semiconductor）生产的 N 沫金属氧化物半导体场效应晶体管（N-MOSFET）。该器件采用先进的工艺技术制造，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适合用于各种高效能的电源转换、电机驱动和负载开关等应用。
该 MOSFET 的额定电压为 600V，能够承受较高的反向电压，同时其封装形式为 TO-220，便于散热设计。FQB6N60C 在工业、汽车以及消费类电子领域均有广泛的应用场景。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：3.9A
导通电阻：1.4Ω
栅极电荷：25nC
总功耗：115W
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：TO-220
FQB6N60C 具有以下显著特性：
1. 高击穿电压：额定耐压高达 600V，适用于高压环境下的开关和保护电路。
2. 低导通电阻：在典型条件下，导通电阻仅为 1.4Ω，可有效降低功率损耗。
3. 快速开关能力：具备较低的栅极电荷和输出电容，确保快速的开关性能，减少开关损耗。
4. 热稳定性强：能够在 -55℃ 至 +150℃ 的宽温度范围内可靠工作，适应严苛的工作环境。
5. 可靠性高：经过严格的质量控制流程，具有出色的长期可靠性。
FQB6N60C 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）：如 AC-DC 和 DC-DC 转换器中的主开关或同步整流元件。
2. 电机驱动：适用于直流无刷电机（BLDC）、步进电机等的驱动电路。
3. 工业自动化：如固态继电器、电磁阀驱动等需要高压大电流控制的场合。
4. 汽车电子：可用于电动车窗、雨刮器控制系统、启动马达控制等汽车应用中。
5. 电池管理系统：实现对锂电池组的充放电保护和均衡管理。
6. 负载开关：用于笔记本电脑、平板设备中的负载控制与电源管理模块。
FQD18N50C, IRF840, STP60NF06L
