时间：2025/6/26 22:34:04
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FQB6N40C 是一款 N 沣道通 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用 TO-252 封装形式。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于各种功率转换和电机驱动应用。其耐压为 400V，连续漏极电流可达 6A，非常适合于开关电源、逆变器和 DC-DC 转换器等场景。
最大漏源电压：400V
连续漏极电流：6A
导通电阻：0.9Ω
栅极电荷：35nC
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：TO-252
FQB6N40C 具有以下显著特性：
1. 高耐压能力，能够承受高达 400V 的漏源电压，确保在高压环境下的稳定运行。
2. 低导通电阻 (Rds(on)) 仅为 0.9Ω，在大电流条件下减少功耗并提高效率。
3. 快速开关性能，得益于其较低的栅极电荷 (Qg)，可以实现高效的高频开关操作。
4. 良好的热稳定性，能够在 -55℃ 至 +150℃ 的宽温范围内可靠工作。
5. 小型化的 TO-252 封装设计，有助于节省 PCB 空间并简化散热管理。
FQB6N40C 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 中的功率开关元件。
2. DC-DC 转换器中的同步整流或主开关角色。
3. 逆变器和 UPS 系统中的功率控制单元。
4. 各类电机驱动电路中的功率级组件。
5. 电池充电器和其他需要高效功率转换的应用场景。
FQP12N40, IRF840, STP12NF40
