时间：2025/12/24 14:56:48
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FQB60N03LTM 是一款 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由 Fairchild（现为 ON Semiconductor）生产。该器件以其低导通电阻和高开关速度著称，广泛应用于功率转换、电机控制、负载开关以及其他需要高效能和快速响应的电路中。
这款 MOSFET 采用 TOLL 封装形式，具有出色的散热性能和坚固的机械设计，适合表面贴装技术（SMT）。其额定电压为 30V，能够承受较高的瞬态电压，同时具备较低的导通电阻以减少功率损耗。
最大漏源电压(V_DS)：30V
最大栅源电压(V_GS)：±20V
最大漏极电流连续值(I_D)：60A
最大脉冲漏极电流(I_PULSE)：180A
导通电阻(R_DS(on))：1.5mΩ (在 V_GS = 10V 时)
总功耗(P_TOT)：249W
结温范围(T_J)：-55°C 至 +175°C
封装形式：TOLL
1. 极低的导通电阻 R_DS(on)，有助于降低传导损耗并提高系统效率。
2. 快速开关性能，适合高频应用环境。
3. 高雪崩击穿能量能力，增强了器件的鲁棒性和可靠性。
4. 内置反向恢复二极管，优化了续流路径并减少了开关损耗。
5. 符合 RoHS 标准，环保且满足现代电子设备要求。
6. 采用先进的 TOLL 封装技术，提供卓越的热管理和电气性能。
7. 在高温条件下仍能保持稳定的性能表现。
1. 开关电源（SMPS）中的主开关或同步整流器。
2. DC/DC 转换器的核心功率级元件。
3. 电机驱动和逆变器电路中的功率开关。
4. 各类负载开关和保护电路。
5. 电池管理系统（BMS）中的充放电控制。
6. 工业自动化设备中的功率调节和驱动模块。
7. 汽车电子系统中的功率分配和管理单元。
IRF3710, FDP5500, PSMN2R0-30YLH, STP60NF03L, AO6400
