时间：2025/6/29 4:44:04
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FQB5P10TM 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TO-263 封装。它主要用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等应用中。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点，能够有效减少功耗并提高系统效率。
这款 MOSFET 的额定电压为 100V，适用于多种工业和消费类电子产品中的功率管理场景。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：7.8A
导通电阻（典型值）：0.14Ω
栅极电荷：15nC
开关时间：开启延迟时间 15ns，关断延迟时间 30ns
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
FQB5P10TM 提供了较低的导通电阻以减少传导损耗，并具备快速的开关速度以降低开关损耗。
此外，该器件还具有良好的热稳定性和鲁棒性，能够在恶劣的工作环境下保持可靠的性能。
其 TO-263 封装设计有助于简化 PCB 布局并提升散热能力。
此 MOSFET 的高雪崩能量能力使其能够在过载条件下提供额外的保护功能。
FQB5P10TM 广泛应用于各种需要高效功率转换的领域。
典型应用包括但不限于：开关模式电源（SMPS）、降压/升压 DC-DC 转换器、电池管理系统、电动工具中的电机控制电路以及 LED 驱动器。
由于其出色的电气性能和封装优势，这款器件非常适合对成本敏感且要求高性能表现的应用场景。
FQP50N10, IRF540N
