时间：2025/12/24 0:19:24
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FQB5N90 是一款 N 沣道通系列的增强型 N 沟道功率场效应晶体管（MOSFET），适用于多种开关和功率转换应用。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高效率的特点，能够在高频条件下提供卓越的性能。
FQB5N90 主要设计用于汽车级和工业级应用，其封装形式为 TO-220，能够承受较高的电压和电流。这种 MOSFET 在设计中通常用作开关元件或同步整流器，以提高电源转换效率。
最大漏源电压：100V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：9.3A
导通电阻（典型值）：0.08Ω
总功耗：140W
工作结温范围：-55℃ to +175℃
FQB5N90 具有以下主要特性：
1. 高击穿电压，支持高达 100V 的漏源电压，确保在高压环境下的稳定性。
2. 极低的导通电阻（Rds(on)），减少功率损耗并提升效率。
3. 快速开关速度，适合高频应用。
4. 较高的雪崩能量能力，提高了器件的鲁棒性。
5. 符合 AEC-Q101 标准，适合汽车级应用。
6. 提供出色的热稳定性和可靠性，在高温环境下表现优异。
7. 小巧的 TO-220 封装，便于安装和散热设计。
FQB5N90 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关。
2. 直流-直流转换器中的同步整流器。
3. 电机驱动电路中的功率开关。
4. 汽车电子系统中的负载切换。
5. 工业控制中的功率管理模块。
6. 各种需要高性能功率开关的场合。
FQD5N90, IRF540N, STP90NF06L
