时间：2025/5/10 11:04:50
阅读：1
FQB5N50C 是一款 N 沣道通态晶体管（N-Channel MOSFET），属于功率半导体器件，适用于多种开关和功率转换应用。该器件采用 TO-220 封装形式，具有较高的电压耐受能力和较低的导通电阻特性。
它广泛用于工业、消费类电子以及汽车领域中的电源管理电路中，例如开关电源、逆变器、电机驱动等。
最大漏源电压：500V
连续漏极电流：5.7A
栅极阈值电压：4V~6V
导通电阻（Rds(on)）：1.8Ω（典型值，当 Vgs=10V 时）
总功耗：105W
结温范围：-55℃~150℃
FQB5N50C 具有高电压耐受能力，能够承受高达 500V 的漏源电压，这使得它非常适合于高压环境下的应用。同时，其低导通电阻可以减少功率损耗，提高效率。
此外，该器件还具备快速开关速度，有助于降低开关损耗，并且在高温条件下依然保持稳定的性能表现。
FQB5N50C 使用 TO-220 封装，这种封装形式不仅易于安装，而且具有良好的散热性能，进一步增强了器件的可靠性。
FQB5N50C 广泛应用于各种需要高效功率转换和控制的场合，包括但不限于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）
2. 直流-直流转换器
3. 逆变器
4. 电机驱动
5. 电磁阀控制
6. 汽车电子系统中的负载切换
由于其出色的电气特性和可靠性，这款 MOSFET 成为许多工程师设计高性能功率电路的理想选择。
IRF540N
STP55NF06
BUZ11
