时间：2025/6/5 20:41:37
阅读：8
FQB5N30是一种N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、电机驱动、负载开关等场景。它具有低导通电阻、快速开关速度和高耐压能力的特点，适用于多种电子电路设计。
型号：FQB5N30
类型：N沟道MOSFET
Vds（漏源极电压）：30V
Rds(on)（导通电阻）：6.5mΩ
Id（持续漏极电流）：41A
Vgs(th)（阈值电压）：2.8V
Ptot（总功率耗散）：218W
封装形式：TO-220FP
FQB5N30具有非常低的导通电阻Rds(on)，这使得其在大电流应用中能够减少功率损耗并提高效率。同时，它的快速开关性能使其非常适合高频开关电路。该器件还具备良好的热稳定性和耐浪涌能力，能够在苛刻的工作条件下保持可靠运行。
此外，FQB5N30支持低至2.8V的阈值电压，因此与低压逻辑电路兼容，便于在电池供电或低电压系统中使用。其TO-220FP封装提供优秀的散热性能，有助于进一步提升工作稳定性。
FQB5N30常用于直流-直流转换器、电机驱动电路、负载开关以及保护电路等领域。在这些应用中，其低导通电阻和高电流承载能力是关键优势。例如，在开关电源中，它可以作为主开关元件来实现高效的能量转换；在电机驱动方面，它能够承受较大的启动电流冲击，并确保平稳运行。
IRFZ44N
STP40NF06
FQP50N06L
