时间：2025/6/10 16:14:41
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FQB50N06TM是一款N沟道增强型功率MOSFET（场效应晶体管），采用TO-252(DPAK)封装形式。该器件广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等电路中，具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力。其额定电压为60V，适用于多种低压应用场合。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：50A
导通电阻（典型值）：1.3mΩ
栅极电荷：78nC
总电容（输入电容）：1940pF
开关速度：快速开关
封装形式：TO-252(DPAK)
FQB50N06TM具备以下主要特性：
1. 极低的导通电阻，能够显著降低传导损耗并提高系统效率。
2. 高电流承载能力，适合大功率应用。
3. 快速开关性能，有助于减少开关损耗。
4. 紧凑的DPAK封装设计，便于散热和PCB布局。
5. 符合RoHS标准，绿色环保。
6. 具有出色的热稳定性和可靠性，适合长期运行在高温环境中。
该MOSFET可广泛用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关或同步整流元件。
2. 降压或升压型DC-DC转换器的核心功率器件。
3. 电机驱动电路中的功率级控制。
4. 各种负载开关和保护电路。
5. 汽车电子系统中的功率分配与控制。
6. 工业自动化设备中的功率管理模块。
FQP50N06L, IRF540N, AO3400A
