时间：2025/8/25 2:53:09
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FQB50N06M 是一款由 Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件设计用于高电流和高频开关应用，具有低导通电阻和高功率处理能力。FQB50N06M 的最大漏源电压为 60V，最大漏极电流为 50A，适用于电源管理、DC-DC 转换器、电机控制和负载开关等应用。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：60V
最大漏极电流(Id)：50A（@25°C）
导通电阻(Rds(on))：0.018Ω（@Vgs=10V）
栅极阈值电压(Vgs(th))：1V ~ 2.5V
工作温度范围：-55°C ~ 175°C
封装类型：TO-252（DPAK）
FQB50N06M MOSFET 具备多项优异特性，包括低导通电阻（Rds(on)）以减少导通损耗，提高能效；其封装形式 TO-252（DPAK）适合表面贴装，便于散热和在高电流应用中使用。该器件具有快速开关能力，适用于高频操作，有助于减小外部滤波器元件的尺寸。
此外，FQB50N06M 具有较高的热稳定性，能够在高负载条件下稳定运行，且具备较强的抗短路和过载能力。该 MOSFET 的栅极驱动电压范围较宽，支持 4.5V 至 20V 的栅极驱动，适用于多种驱动电路设计。
该器件还具备良好的雪崩能量承受能力，增强了在高压和高电流条件下的可靠性。其低输入电容和低门极电荷也使得驱动损耗更低，适合用于高效率的开关电源和 DC-DC 转换器设计。
FQB50N06M 广泛应用于多种功率电子系统中，如同步整流 DC-DC 转换器、电池充电器、负载开关、电机驱动器、电源管理系统以及工业自动化设备中的功率开关电路。由于其高效率和快速开关特性，该 MOSFET 也常用于电源适配器、UPS 系统、LED 照明驱动器以及汽车电子系统中的功率控制模块。
FQP50N06L, IRFZ44N, FDD5614, IPB06N04LA
