时间：2025/5/15 9:33:18
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FQB4N80TM 是一款 N 沫极型功率场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器等领域。该器件采用 TO-252 封装，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适合高频应用场合。
这款 MOSFET 的主要特点是高效率和可靠性，能够承受较大的电流负载，并且具备良好的热性能。
最大漏源电压：800V
连续漏极电流：4.3A
导通电阻：1.6Ω
栅极电荷：35nC
总功耗：2.2W
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
FQB4N80TM 具有以下显著特性：
1. 高耐压能力：最大漏源电压为 800V，适用于高压环境。
2. 低导通电阻：在典型条件下，导通电阻仅为 1.6Ω，有助于降低传导损耗。
3. 快速开关性能：较小的栅极电荷（35nC）使其具有快速的开关速度，适合高频应用。
4. 热稳定性强：采用 TO-252 封装设计，散热性能优越。
5. 安全工作区域宽广：能够在较宽的工作温度范围内稳定运行，适应恶劣的工作条件。
FQB4N80TM 可用于多种电力电子设备中，包括但不限于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）：在 AC-DC 和 DC-DC 转换电路中作为开关元件。
2. 电机驱动：控制直流电机或步进电机的速度和方向。
3. 逆变器：在光伏逆变器和其他类型的逆变器中提供高效的功率转换。
4. LED 驱动：用于大功率 LED 照明系统中的恒流控制。
5. 工业自动化：在工业控制系统中实现功率调节和信号隔离。
FQB4N80T, FQB4N80TMH, IRF840
