时间：2025/5/8 14:54:58
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FQB4N80是一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220封装形式。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点，广泛应用于各种开关电源、电机驱动和负载开关等应用领域。其额定电压为80V，适用于中低压应用场景。
最大漏源电压：80V
连续漏极电流：4A
导通电阻：135mΩ（典型值）
栅极阈值电压：2V~4V
总功耗：75W
工作温度范围：-55℃~150℃
FQB4N80具有以下主要特性：
1. 低导通电阻有助于降低功率损耗，提高效率。
2. 快速开关性能，适合高频开关应用。
3. 高雪崩能力，增强了器件的可靠性。
4. 小型化的TO-220封装设计，便于散热与安装。
5. 提供出色的热稳定性和电气稳定性。
6. 具备ESD保护功能以增强抗干扰能力。
这些特点使FQB4N80成为许多功率转换和控制应用的理想选择。
FQB4N80适用于以下典型应用场景：
1. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流器。
2. DC-DC转换器和降压/升压电路。
3. 电池管理系统的负载开关。
4. 各类电机驱动电路，例如步进电机或直流无刷电机驱动。
5. 汽车电子系统中的继电器替代方案。
6. 工业自动化设备中的信号隔离与功率放大。
FQB4N80凭借其高效、可靠的设计，能够在多种复杂环境中提供稳定的性能表现。
FQP50N06L, IRFZ44N, AO3400
