类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：600V
　　最大栅源电压（VGS）：±30V
　　最大漏极电流（ID）：4A（25°C）
　　导通电阻（RDS(ON)）：≤2.5Ω（最大值）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220、D2PAK 等

FQB4N60C 具备多项优良特性，使其在电源管理系统中表现卓越。首先，其最大漏源电压达到 600V，能够在高电压环境下稳定工作，适用于多种高压电源转换应用。其次，该 MOSFET 的导通电阻较低，通常小于 2.5Ω，有助于减少导通损耗，提高整体系统效率。此外，FQB4N60C 的最大漏极电流为 4A，在标准工作温度下能够提供稳定的电流输出，适用于中高功率应用。其栅源电压范围为 ±30V，具有良好的栅极驱动兼容性，可与多种控制电路配合使用。该器件采用 TO-220 或 D2PAK 封装形式，具有良好的散热性能和机械稳定性，适用于多种电路布局和安装方式。FQB4N60C 还具备高抗雪崩能力，能够在极端条件下保持稳定运行，提高了系统的可靠性和耐用性。
　　在工作温度方面，FQB4N60C 可在 -55°C 至 +150°C 的宽温度范围内正常工作，适应各种严苛环境条件，如工业控制、通信设备和消费类电子产品中的电源系统。该 MOSFET 的低栅极电荷（Qg）特性也有助于降低开关损耗，提高响应速度，从而实现更高效的功率转换。同时，其快速开关性能和低寄生电容使其在高频开关应用中表现出色，适用于现代高效率电源设计。综合来看，FQB4N60C 是一款性能稳定、可靠性高、适用范围广的功率 MOSFET，广泛用于各类电源管理系统和电子设备中。

FQB4N60C 主要应用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电机驱动器、电池充电器、逆变器以及 LED 照明驱动电路等电源管理系统中。由于其具备高耐压、低导通电阻和良好的热稳定性，该器件也常用于工业自动化设备、通信设备、家用电器和消费类电子产品中的功率控制部分。此外，FQB4N60C 还适用于需要高效率和高稳定性的高频电源变换器，如 UPS（不间断电源）、变频器和节能照明系统等。

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