FQB47P06 时间：2025/6/29 4:43:04 阅读：8

FQB47P06 是一款 N 沟道功率场效应晶体管（MOSFET），由 Fairchild Semiconductor（现为 ON Semiconductor）生产。该器件设计用于高频开关应用和功率管理电路，具有低导通电阻、高开关速度以及出色的热性能。
　　其封装形式为 SO-8，适合表面贴装工艺，广泛应用于消费电子、通信设备以及工业控制领域。

参数

型号：FQB47P06
　　VDS（漏源极电压）：60V
　　RDS(on)（导通电阻，典型值）：47mΩ
　　ID（连续漏极电流）：11A
　　Ptot（总功耗）：2.5W
　　f（工作频率范围）：高达 5 MHz
　　Qg（栅极电荷，典型值）：3.9nC
　　VGS(th)（阈值电压）：1V~2V
　　TJ（结温范围）：-55℃~+150℃

特性

FQB47P06 的主要特性包括以下几点：
　　1. 极低的导通电阻 (RDS(on))，有助于减少传导损耗并提高效率。
　　2. 高频开关能力，适用于高速开关应用。
　　3. 小型 SO-8 封装，节省 PCB 空间。
　　4. 栅极电荷较低，驱动要求简单，适合电池供电系统。
　　5. 具备良好的热稳定性，能够承受较高的结温范围。
　　6. 符合 RoHS 标准，环保且可靠。
　　这些特点使 FQB47P06 成为许多高效功率转换应用的理想选择，例如 DC-DC 转换器、电机驱动器和电源管理模块。

应用

FQB47P06 广泛应用于以下场景：
　　1. 开关电源 (SMPS) 中的同步整流和降压/升压转换。
　　2. 消费类电子产品中的负载开关和保护电路。
　　3. 便携式设备中的电池管理及充电电路。
　　4. 工业自动化中的信号隔离和电机驱动。
　　5. 通信设备中的功率级管理和信号调节。
　　由于其低导通电阻和高频性能，这款 MOSFET 在需要高效率和小尺寸解决方案的应用中表现出色。