时间：2025/5/27 9:45:55
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FQB3N90是一种高压MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于N沟道增强型功率MOSFET。它广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等需要高效能和高耐压的场景中。
该器件采用TO-252封装形式，具备低导通电阻和高击穿电压的特点，能够满足多种工业和消费电子领域的需求。
最大漏源电压：900V
连续漏极电流：1.6A
导通电阻：7.5Ω
栅极阈值电压：3V~4V
功耗：2W
工作温度范围：-55℃~175℃
FQB3N90的主要特性包括以下几点：
1. 高击穿电压（900V），使其适合高压应用环境。
2. 低导通电阻设计，有助于减少传导损耗并提高效率。
3. 快速开关速度，保证了高频应用中的性能表现。
4. 内置反向恢复二极管，增强了系统的稳定性和可靠性。
5. 工作温度范围宽广，适应极端温度条件下的运行需求。
6. 符合RoHS标准，环保且安全可靠。
FQB3N90适用于以下场景：
1. 开关模式电源（SMPS）及AC-DC适配器。
2. 电机控制与驱动电路。
3. LED照明驱动电路。
4. 各类DC-DC转换器模块。
5. 工业自动化设备中的高压开关组件。
6. 其他要求高电压、低功耗的电力电子系统。
IRF840, K1105G, STP16NF90
