时间：2025/5/22 1:15:28
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FQB3N25是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等领域。该器件采用了先进的功率MOSFET技术，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适合在高频应用中使用。
这款MOSFET的主要特点是其出色的性能和可靠性，能够在较宽的工作电压范围内提供稳定的输出。此外，FQB3N25还具有良好的热特性和抗浪涌能力，能够适应恶劣的工作环境。
型号：FQB3N25
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：25V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：16A
导通电阻(Rds(on))：8mΩ
总功耗(Ptot)：175W
结温范围(Tj)：-55℃ to +175℃
封装形式：TO-220
FQB3N25具备低导通电阻和高开关速度的特点，这使得它在高频应用中表现优异。它的最大漏源电压为25V，可以满足大多数低压应用场景的需求。
此外，该器件的最大栅源电压为±20V，确保了其在不同驱动条件下的稳定性。连续漏极电流可达16A，使其适用于大电流负载。
FQB3N25采用TO-220封装，这种封装形式不仅便于散热，而且易于安装和维护。同时，其工作结温范围从-55℃到+175℃，保证了在极端温度条件下的可靠运行。
FQB3N25主要应用于各种需要高效功率切换的场合，例如开关电源(SMPS)中的功率转换级、电机驱动中的H桥电路、DC-DC转换器中的同步整流等。
此外，它还可以用于负载开关、电池保护、LED驱动等领域。由于其出色的性能和可靠性，FQB3N25成为许多设计工程师在选择功率MOSFET时的首选之一。
IRFZ44N
STP16NF06
FQP16N25C
