FQB34P10 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET,广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器等场景。该器件采用了先进的沟槽式工艺技术,在导通电阻、开关速度和热性能等方面表现出色,适合中低电压应用环境。
其封装形式为 TO-252(DPAK),具有较高的电流处理能力和良好的散热特性,适用于需要高效能和高可靠性的电路设计。
最大漏源电压:40V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:34A
导通电阻:1.6mΩ
栅极电荷:47nC
开关时间:典型值 t_on=12ns,t_off=39ns
工作结温范围:-55℃ 至 +175℃
FQB34P10 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),能够在大电流条件下减少功耗并提高效率。
2. 高速开关性能,得益于优化的栅极电荷设计,可降低开关损耗。
3. 强大的雪崩能力,增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
4. 小型化 TO-252 封装,易于安装且具备出色的散热性能。
5. 符合 RoHS 标准,绿色环保,满足国际法规要求。
该功率 MOSFET 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源 (SMPS) 和 AC-DC 转换器中的同步整流。
2. DC-DC 转换器和降压/升压转换器中的主开关或续流二极管替代。
3. 电池管理系统 (BMS) 中的大电流开关控制。
4. 各类电机驱动电路,如无刷直流电机 (BLDC) 和步进电机控制。
5. 工业自动化设备中的负载切换和保护功能。
FQP11N10, IRFZ44N, FDP028N10L