时间：2025/5/27 11:02:48
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FQB34P10 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器等场景。该器件采用了先进的沟槽式工艺技术，在导通电阻、开关速度和热性能等方面表现出色，适合中低电压应用环境。
其封装形式为 TO-252（DPAK），具有较高的电流处理能力和良好的散热特性，适用于需要高效能和高可靠性的电路设计。
最大漏源电压：40V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：34A
导通电阻：1.6mΩ
栅极电荷：47nC
开关时间：典型值 t_on=12ns，t_off=39ns
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
FQB34P10 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，能够在大电流条件下减少功耗并提高效率。
2. 高速开关性能，得益于优化的栅极电荷设计，可降低开关损耗。
3. 强大的雪崩能力，增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
4. 小型化 TO-252 封装，易于安装且具备出色的散热性能。
5. 符合 RoHS 标准，绿色环保，满足国际法规要求。
该功率 MOSFET 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 AC-DC 转换器中的同步整流。
2. DC-DC 转换器和降压/升压转换器中的主开关或续流二极管替代。
3. 电池管理系统 (BMS) 中的大电流开关控制。
4. 各类电机驱动电路，如无刷直流电机 (BLDC) 和步进电机控制。
5. 工业自动化设备中的负载切换和保护功能。
FQP11N10, IRFZ44N, FDP028N10L
