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FQB34P10 发布时间 时间:2025/5/27 11:02:48 查看 阅读:14

FQB34P10 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET,广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器等场景。该器件采用了先进的沟槽式工艺技术,在导通电阻、开关速度和热性能等方面表现出色,适合中低电压应用环境。
  其封装形式为 TO-252(DPAK),具有较高的电流处理能力和良好的散热特性,适用于需要高效能和高可靠性的电路设计。

参数

最大漏源电压:40V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:34A
  导通电阻:1.6mΩ
  栅极电荷:47nC
  开关时间:典型值 t_on=12ns,t_off=39ns
  工作结温范围:-55℃ 至 +175℃

特性

FQB34P10 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),能够在大电流条件下减少功耗并提高效率。
  2. 高速开关性能,得益于优化的栅极电荷设计,可降低开关损耗。
  3. 强大的雪崩能力,增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
  4. 小型化 TO-252 封装,易于安装且具备出色的散热性能。
  5. 符合 RoHS 标准,绿色环保,满足国际法规要求。

应用

该功率 MOSFET 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源 (SMPS) 和 AC-DC 转换器中的同步整流。
  2. DC-DC 转换器和降压/升压转换器中的主开关或续流二极管替代。
  3. 电池管理系统 (BMS) 中的大电流开关控制。
  4. 各类电机驱动电路,如无刷直流电机 (BLDC) 和步进电机控制。
  5. 工业自动化设备中的负载切换和保护功能。

替代型号

FQP11N10, IRFZ44N, FDP028N10L

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