时间：2025/6/22 5:26:47
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FQB34N20L 是一款 N 沃半导体生产的 N 沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET）。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点。它广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及负载开关等应用中。
该 MOSFET 的最大漏源电压为 200V，能够承受较高的电压环境，同时其连续漏极电流可达 4.9A（在特定的工作条件下），适用于多种功率处理需求。
最大漏源电压：200V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：4.9A
导通电阻：0.55Ω
总功耗：17W
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：TO-220FP
FQB34N20L 具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少传导损耗并提高效率。
2. 高速开关能力，使其适合高频应用场合。
3. 内置防静电保护电路，增强了器件的可靠性。
4. 较宽的工作温度范围，确保在极端环境下的稳定性能。
5. 符合 RoHS 标准，环保且支持无铅焊接工艺。
该功率 MOSFET 主要应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）设计中的功率转换级。
2. DC-DC 转换器及电压调节模块。
3. 各种电机驱动电路，例如步进电机或直流无刷电机控制。
4. 电池管理系统的负载切换与保护功能。
5. 通用工业电子设备中的功率开关组件。
FQB34N20L 的高电压耐受能力和大电流承载能力，使其成为这些领域的理想选择。
IRFZ44N
STP36NF06
AO3400
