时间：2025/5/23 19:13:15
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FQB33N10是一款N沟道增强型功率MOSFET，采用QFN5*6-24封装形式。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）特性，适用于高效率开关应用场合。它在汽车电子和工业控制领域中被广泛使用，能够承受较高的工作电压，并具备良好的热稳定性和开关性能。
FQB33N10的典型应用包括DC/DC转换器、负载开关、电机驱动以及电池管理等场景。其设计符合AEC-Q101标准，确保了在严苛环境下的可靠运行。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：37A
导通电阻：3.3mΩ
栅极电荷：98nC
开关速度：超快恢复
封装形式：QFN5*6-24
工作温度范围：-55℃至175℃
FQB33N10拥有非常低的导通电阻（3.3mΩ），这使得其在大电流应用中表现出色，能够显著降低传导损耗并提升系统效率。
此外，该器件具备快速开关能力，适合高频开关电源设计。由于采用了先进的制造工艺，FQB33N10还具备出色的热性能和电气稳定性，可以有效应对各种复杂工况下的需求。
此功率MOSFET支持高温工作（最高达175℃），非常适合对可靠性要求较高的汽车级应用。同时，它的低栅极电荷设计有助于减少开关损耗，进一步优化整体性能表现。
FQB33N10主要应用于以下领域：
1. 汽车电子中的DC/DC转换器和逆变器。
2. 工业设备里的电机驱动与电池管理系统。
3. 高效能开关电源的设计。
4. 各种负载开关和保护电路。
凭借其卓越的电气特性和坚固耐用的设计，FQB33N10成为了众多高性能应用的理想选择。
FQP16N10,FDP5570,IRLB3034PBF
