FQB2N50C 时间：2025/8/25 5:14:57 阅读：29

FQB2N50C 是一款由 Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于高功率开关应用，具有较低的导通电阻和优异的热性能，适用于电源转换、DC-AC逆变器、电机控制等高功率密度设计。FQB2N50C采用TO-220封装形式，具备良好的散热能力，能够在较高电流和电压下稳定工作。

参数

类型：N沟道
　　最大漏极电流：2.5A
　　最大漏-源电压：500V
　　导通电阻(Rds(on))：3.0Ω（最大值）
　　栅极阈值电压：2V至4V
　　最大功耗：50W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-220

特性

FQB2N50C具有多个优异的电气和热性能特性，使其在高功率开关应用中表现出色。
　　首先，其最大漏-源电压可达500V，适用于中高压电源转换系统。该器件的导通电阻Rds(on)最大为3.0Ω，能够在较低的压降下通过电流，减少功率损耗，提高系统效率。
　　其次，FQB2N50C具有良好的热稳定性，TO-220封装提供良好的散热性能，确保在高负载条件下仍能保持稳定运行。此外，该MOSFET的栅极驱动电压范围为2V至4V，适用于多种栅极驱动电路设计，兼容常见的PWM控制器和驱动IC。
　　最后，FQB2N50C内部结构优化，具有较低的电容和快速的开关响应时间，有助于减少开关损耗，提高整体系统的动态性能。这些特性使其在电源管理、电机控制、照明系统、逆变器和开关电源（SMPS）中得到广泛应用。