FQB2N50C 是一款由 Fairchild Semiconductor(飞兆半导体)生产的N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件设计用于高功率开关应用,具有较低的导通电阻和优异的热性能,适用于电源转换、DC-AC逆变器、电机控制等高功率密度设计。FQB2N50C采用TO-220封装形式,具备良好的散热能力,能够在较高电流和电压下稳定工作。
类型:N沟道
最大漏极电流:2.5A
最大漏-源电压:500V
导通电阻(Rds(on)):3.0Ω(最大值)
栅极阈值电压:2V至4V
最大功耗:50W
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装类型:TO-220
FQB2N50C具有多个优异的电气和热性能特性,使其在高功率开关应用中表现出色。
首先,其最大漏-源电压可达500V,适用于中高压电源转换系统。该器件的导通电阻Rds(on)最大为3.0Ω,能够在较低的压降下通过电流,减少功率损耗,提高系统效率。
其次,FQB2N50C具有良好的热稳定性,TO-220封装提供良好的散热性能,确保在高负载条件下仍能保持稳定运行。此外,该MOSFET的栅极驱动电压范围为2V至4V,适用于多种栅极驱动电路设计,兼容常见的PWM控制器和驱动IC。
最后,FQB2N50C内部结构优化,具有较低的电容和快速的开关响应时间,有助于减少开关损耗,提高整体系统的动态性能。这些特性使其在电源管理、电机控制、照明系统、逆变器和开关电源(SMPS)中得到广泛应用。
FQB2N50C 主要应用于需要高电压和中等电流控制的功率电子系统中。常见应用包括开关电源(SMPS)、DC-AC逆变器、电机驱动电路、LED照明驱动、电池充电器以及工业自动化控制系统。此外,该MOSFET也广泛用于家电产品中的电源管理模块,如电磁炉、洗衣机和空调等设备中的功率开关元件。
FQA2N50C, IRFBC20, FQB12N50C