时间：2025/4/30 10:47:33
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FQB19N20C是一款N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高频开关应用和电源管理场景。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，适合用于各种工业和消费类电子设备中。
这款MOSFET的耐压为200V，使其非常适合高压环境下的应用。其封装形式通常为TO-220或DPAK，便于散热设计和PCB布局。
最大漏源电压：200V
连续漏极电流：9A
导通电阻（Rds(on)）：250mΩ（典型值，Vgs=10V时）
栅极电荷：36nC（典型值）
开关频率：支持高达500kHz
工作结温范围：-55℃至+175℃
1. 低导通电阻，有助于减少传导损耗，提高系统效率。
2. 高雪崩能力，增强了器件在异常条件下的可靠性。
3. 快速开关特性，降低了开关损耗。
4. 具有出色的热稳定性，能够适应恶劣的工作环境。
5. 小型化封装选项，简化了电路板空间需求。
6. 符合RoHS标准，绿色环保设计。
1. 开关电源（SMPS）中的功率转换。
2. DC-DC转换器及升压/降压模块。
3. 电机驱动与控制电路。
4. 工业自动化设备中的电源管理。
5. LED照明驱动电路。
6. 电池充电保护电路。
FQP19N20C, IRF540N, STP19NF20
