时间：2025/5/15 11:30:14
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FQB19N10是一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等场景。该器件采用先进的半导体工艺制造，具有低导通电阻、快速开关速度以及出色的热性能。
它能够在高达100V的电压下工作，并具备较高的电流处理能力，适合需要高效率和低损耗的应用环境。
最大漏源电压(VDS)：100V
连续漏极电流(ID)：8.6A
导通电阻(RDS(on))：23mΩ
栅极电荷(Qg)：25nC
输入电容(Ciss)：1240pF
总功耗(Ptot)：14W
结温范围(Tj)：-55℃ to +150℃
封装形式：TO-252(DPAK)
FQB19N10具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻RDS(on)，能够显著降低导通损耗，提高整体效率。
2. 快速开关特性，支持高频应用，减少开关损耗。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常情况下的可靠性。
4. 符合RoHS标准，环保且满足现代工业要求。
5. 紧凑的封装设计，有助于节省电路板空间，便于散热管理。
6. 优异的热稳定性和电气稳定性，适用于各种恶劣的工作条件。
FQB19N10适用于以下应用场景：
1. 开关模式电源(SMPS)中的功率开关。
2. DC-DC转换器中的同步整流或主开关。
3. 电池保护电路中的负载开关。
4. 电机驱动和控制电路中的功率级元件。
5. 各类消费电子产品的电源管理模块。
6. 工业自动化设备中的信号隔离与功率传输组件。
IRFZ44N
FQP50N06L
STP19NF06L
