时间：2025/5/7 10:25:15
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FQB13N10是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于开关和功率管理应用。它采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻、快速开关速度和高效率的特点。该器件广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备等领域。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：12A
导通电阻：0.015Ω
栅极电荷：47nC
输入电容：1680pF
工作温度范围：-55℃至150℃
FQB13N10具有较低的导通电阻，能够显著降低功率损耗，提高系统的整体效率。
其快速的开关速度有助于减少开关损耗，适用于高频开关应用。
该器件还具备较高的雪崩耐量能力，增强了其在异常情况下的可靠性。
FQB13N10的紧凑封装设计使其非常适合空间受限的应用场景。
FQB13N10适用于多种应用场合，包括但不限于DC-DC转换器、开关电源、电机驱动、负载开关、电池保护电路以及LED驱动等。
在消费类电子产品中，它可以用于笔记本电脑适配器、平板充电器和家用电器中的功率管理。
此外，在工业领域，FQB13N10可用于工厂自动化设备、机器人控制系统及各种电力电子系统。
IRFZ44N
STP12NK60Z
FQP13N10
