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FQB11P06TM 发布时间 时间:2025/4/29 18:25:03 查看 阅读:13

FQB11P06TM 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET,采用小型化封装设计,广泛应用于各种高效能开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及其他需要高频切换和低功耗的场景。该器件具有较低的导通电阻以及优秀的开关性能,适合在高效率和紧凑型设计中使用。
  FQB11P06TM 采用了先进的制造工艺,能够在高频率工作条件下提供卓越的热特性和电气性能,同时支持表面贴装技术(SMD),便于自动化生产和提高 PCB 空间利用率。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:11A
  导通电阻:3.8mΩ
  栅极电荷:47nC
  开关速度:典型值 25ns
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C
  封装类型:TO-Lead (TOLL)

特性

1. 极低的导通电阻(Rds(on))确保了高效的功率传输并减少了发热。
  2. 高额定电流能力使其能够胜任大功率应用需求。
  3. 快速开关速度有效降低了开关损耗,特别适用于高频开关电路。
  4. 小型化的封装设计有助于节省 PCB 布局空间。
  5. 出色的热稳定性和可靠性,适合严苛的工作环境。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际法规要求。

应用

1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
  2. DC-DC 转换器中的高频开关元件。
  3. 电机驱动电路中的功率级控制。
  4. 各类负载切换和保护电路。
  5. 便携式设备及消费类电子产品中的功率管理模块。
  6. 工业自动化设备中的功率转换与控制部分。

替代型号

FQP11N06L, IRFZ44N, AO3400

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FQB11P06TM参数

  • 产品培训模块High Voltage Switches for Power Processing
  • 标准包装800
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列QFET™
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C11.4A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C175 毫欧 @ 5.7A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs17nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds550pF @ 25V
  • 功率 - 最大3.13W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装D²PAK
  • 包装带卷 (TR)