时间：2025/5/13 8:37:28
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FQAF13N80 是一款 N 沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），由 Fairchild Semiconductor（现为 ON Semiconductor）生产。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的雪崩能力等特点。它广泛应用于各种需要高效功率转换和控制的场景，如电机驱动、开关电源、逆变器等。
FQAF13N80 的设计使其能够在高电压环境下稳定工作，同时保持较低的功耗，非常适合要求高性能和可靠性的工业及消费类电子应用。
最大漏源电压：800V
连续漏极电流：1.62A
导通电阻：4.5Ω
栅极电荷：28nC
输入电容：1380pF
最大功耗：19W
结温范围：-55℃ 至 +150℃
FQAF13N80 具有以下显著特性：
1. 高耐压能力：额定电压高达 800V，适用于高压应用环境。
2. 低导通电阻：在典型条件下，导通电阻仅为 4.5Ω，有助于降低传导损耗。
3. 快速开关性能：得益于优化的内部结构，其开关速度较快，可有效减少开关损耗。
4. 出色的雪崩能力：能够承受过载条件下的能量冲击，提高了系统的可靠性。
5. 小封装设计：采用 TO-220 封装形式，便于安装且散热性能良好。
6. 广泛的工作温度范围：支持从 -55℃ 到 +150℃ 的结温范围，适应各种极端环境。
FQAF13N80 可用于多种电力电子设备中，常见的应用场景包括：
1. 开关电源（SMPS）：作为主开关管或同步整流管使用。
2. 逆变器：在太阳能逆变器或其他类型的逆变器中负责功率转换。
3. 电机驱动：用于控制直流无刷电机或其他类型电机的运行状态。
4. 照明系统：例如 LED 驱动电路中的功率调节部分。
5. 工业自动化设备：如 PLC 控制器、伺服驱动器等需要高效功率管理的场合。
6. 消费类电子产品：如电视机、音响等设备中的电源管理模块。
FQA13N80,
STP17NF80,
IRFBG10U,
IXTH10N80T2
