时间：2025/5/13 16:48:35
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FQAF11N90是一款由Fairchild（现为ON Semiconductor）生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用TO-247封装，广泛应用于开关电源、电机驱动和逆变器等领域。其高电压和大电流特性使其适用于多种工业和消费类电子设备。
该MOSFET的最大额定电压为900V，具有较低的导通电阻，能够有效减少功率损耗并提高系统效率。此外，FQAF11N90还具备快速开关能力和良好的热稳定性，非常适合高频应用。
最大漏源电压：900V
最大栅源电压：±20V
持续漏极电流：3.6A
导通电阻：4.5Ω
总功耗：18W
工作结温范围：-55℃至+150℃
FQAF11N90采用了先进的工艺技术，具有以下特点：
1. 高耐压能力：适合高压应用场景。
2. 低导通电阻：降低传导损耗，提高效率。
3. 快速开关速度：支持高频工作环境。
4. 热稳定性强：能够在较宽的温度范围内可靠运行。
5. 小型化设计：TO-247封装便于散热且易于安装。
这些特性使得FQAF11N90成为许多高压功率转换应用的理想选择。
FQAF11N90主要应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）：用于AC-DC和DC-DC转换电路。
2. 电机驱动：控制各类直流和步进电机。
3. 逆变器：实现直流到交流的转换。
4. 能量存储系统：如不间断电源（UPS）和太阳能逆变器。
5. 工业自动化设备：例如可编程逻辑控制器（PLC）和伺服驱动器。
由于其出色的电气性能和可靠性，FQAF11N90在这些应用中表现出色。
IRFP460,
FQA13N50,
STP12NK50Z,
IXTH14N50L
