最大漏源电压(VDS)：280V
　　最大栅源电压(VGS)：±30V
　　最大连续漏极电流(ID)：75A（在TC=25℃）
　　最大脉冲漏极电流(IDM)：300A
　　导通电阻(RDS(on))：典型值为0.038Ω
　　工作温度范围：-55℃ ~ +175℃
　　封装形式：TO-262

FQA75N28具有多个显著的技术特性，使其在高功率应用中表现优异。首先，其高达280V的漏源击穿电压(VDS)使其适用于中高功率电源系统，如开关电源（SMPS）和电机驱动器。其次，75A的最大连续漏极电流能力允许其在高负载条件下稳定工作，而不会出现明显的性能下降。此外，FQA75N28的导通电阻RDS(on)典型值为0.038Ω，极低的导通电阻不仅降低了导通损耗，还减少了工作时的热量产生，提高了系统效率。
　　FQA75N28的栅极驱动设计允许使用标准的逻辑电平（如5V或10V）进行驱动，使其能够轻松与各种控制器配合使用。同时，该器件具备较高的雪崩能量承受能力，增强了在高能瞬态条件下的可靠性，从而减少了外部保护电路的需求。TO-262封装形式提供了良好的散热性能，有助于在高功率密度环境中保持稳定运行。
　　该MOSFET的热阻（结到外壳）较低，使其在高电流工作时能够有效散热，避免过热失效。此外，FQA75N28的快速开关特性降低了开关损耗，适用于高频开关应用，例如DC-DC转换器和同步整流电路。

FQA75N28广泛应用于需要高功率开关性能的各类电子系统中。其典型应用包括开关电源（SMPS）、直流马达控制器、逆变器、不间断电源（UPS）、电池管理系统以及各种工业自动化设备中的功率控制模块。由于其具备高电流能力和低导通电阻，FQA75N28也常用于高效能的DC-DC降压或升压转换器设计中。此外，在新能源领域，例如太阳能逆变器和电动汽车的功率管理系统中，FQA75N28也能发挥重要作用。

FQA75N28的替代型号包括FQA75N28_F085、FQA75N25、FQA75N30、IRF75N28、FQA76N28、FQA75N28C等。