类型：N沟道MOSFET
　　漏极电流（Id）：60A
　　漏极-源极电压（Vds）：600V
　　栅极-源极电压（Vgs）：±30V
　　导通电阻（Rds(on)）：0.175Ω @ Vgs = 10V
　　功耗（Pd）：150W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装：TO-262

FQA60N60UFD具备多项优良特性，首先是其高耐压能力，漏极-源极电压（Vds）可达600V，使其适用于高压电源转换系统。其导通电阻（Rds(on)）为0.175Ω，且在10V栅极电压下工作，确保了较低的导通损耗，提高了系统效率。
　　该MOSFET采用了先进的沟槽栅极技术和优化的硅片设计，提供快速的开关性能，有助于降低开关损耗，提高整体系统效率。此外，其150W的功耗能力使其在大电流应用中仍能保持良好的热稳定性。
　　该器件的工作温度范围宽达-55°C至+150°C，适合在各种环境条件下运行。TO-262封装提供了良好的散热性能，并支持表面贴装工艺，便于在高功率密度电路板中使用。
　　同时，FQA60N60UFD具备优异的雪崩能量耐受能力，可在高应力条件下提供更高的可靠性和耐用性，适用于如电机驱动、太阳能逆变器、UPS系统等要求严苛的应用场景。

FQA60N60UFD广泛应用于多种高功率电子系统中。在开关电源（SMPS）中，它用于实现高效的直流-直流转换或交流-直流转换，有助于提升电源效率并减小系统体积。
　　在电机控制和驱动电路中，该MOSFET可用于H桥结构，控制直流电机或步进电机的方向和速度，其快速开关特性可减少开关损耗，提高响应速度。
　　该器件也常用于不间断电源（UPS）和太阳能逆变器中，作为主功率开关器件，负责将直流电转换为交流电，供给负载使用。
　　此外，FQA60N60UFD还可用于电池管理系统、充电器、LED照明驱动器以及其他需要高功率、高效率的电力电子设备中。

FQA60N60UFDT, FQA60N60, FQA60N60C, FQP60N60