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FQA25N50 发布时间 时间:2025/8/25 0:35:53 查看 阅读:17

FQA25N50是一款由Fairchild Semiconductor(飞兆半导体)推出的高性能N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制以及各种高功率电子系统中。该器件采用先进的平面条状DMOS技术,具有高耐压、低导通电阻和优良的热性能。

参数

类型:N沟道
  最大漏源电压(Vds):500V
  最大栅源电压(Vgs):±30V
  最大连续漏极电流(Id):25A @ TC=100℃
  导通电阻(Rds(on)):0.2Ω @ Vgs=10V
  工作温度范围:-55℃ ~ +150℃
  封装类型:TO-3P

特性

FQA25N50 MOSFET具有多项优越特性,使其在高功率应用中表现出色。首先,其最大漏源电压可达500V,具备较高的电压耐受能力,适用于高压电源转换系统。其次,该器件在10V栅极驱动电压下的导通电阻仅为0.2Ω,有效降低了导通损耗,提高了系统效率。
  此外,FQA25N50的最大连续漏极电流为25A,在良好的散热条件下能够承受较大的负载电流,适用于高功率密度设计。其±30V的栅源电压耐受能力增强了在高瞬态电压环境中的稳定性,降低了栅极驱动电路的设计难度。
  该MOSFET采用TO-3P封装,具备良好的散热性能和机械稳定性,适用于工业级工作温度范围(-55℃至+150℃)。这使得FQA25N50能够在严苛环境中可靠运行,如工业电源、太阳能逆变器、电池充电器以及电动工具控制电路等。
  综合来看,FQA25N50凭借其高耐压、低导通电阻、大电流承载能力和优异的热管理性能,成为多种功率转换和控制应用的理想选择。

应用

FQA25N50广泛应用于各类功率电子设备中,包括开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器、电机驱动器、电池管理系统(BMS)以及工业自动化控制系统。其高耐压和低导通电阻特性也使其适用于高效率的电源转换设计,如PFC(功率因数校正)电路和ZVS(零电压开关)拓扑结构。

替代型号

FQA28N50, FQA30N50, IRFBC40, FQP25N50

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