时间：2025/8/25 0:35:53
阅读：29
FQA25N50是一款由Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）推出的高性能N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制以及各种高功率电子系统中。该器件采用先进的平面条状DMOS技术，具有高耐压、低导通电阻和优良的热性能。
类型：N沟道
最大漏源电压(Vds)：500V
最大栅源电压(Vgs)：±30V
最大连续漏极电流(Id)：25A @ TC=100℃
导通电阻(Rds(on))：0.2Ω @ Vgs=10V
工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
封装类型：TO-3P
FQA25N50 MOSFET具有多项优越特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其最大漏源电压可达500V，具备较高的电压耐受能力，适用于高压电源转换系统。其次，该器件在10V栅极驱动电压下的导通电阻仅为0.2Ω，有效降低了导通损耗，提高了系统效率。
此外，FQA25N50的最大连续漏极电流为25A，在良好的散热条件下能够承受较大的负载电流，适用于高功率密度设计。其±30V的栅源电压耐受能力增强了在高瞬态电压环境中的稳定性，降低了栅极驱动电路的设计难度。
该MOSFET采用TO-3P封装，具备良好的散热性能和机械稳定性，适用于工业级工作温度范围（-55℃至+150℃）。这使得FQA25N50能够在严苛环境中可靠运行，如工业电源、太阳能逆变器、电池充电器以及电动工具控制电路等。
综合来看，FQA25N50凭借其高耐压、低导通电阻、大电流承载能力和优异的热管理性能，成为多种功率转换和控制应用的理想选择。
FQA25N50广泛应用于各类功率电子设备中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）以及工业自动化控制系统。其高耐压和低导通电阻特性也使其适用于高效率的电源转换设计，如PFC（功率因数校正）电路和ZVS（零电压开关）拓扑结构。
FQA28N50, FQA30N50, IRFBC40, FQP25N50
