类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：800V
　　连续漏极电流（ID）：20A
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　导通电阻（RDS(on)）：0.22Ω（典型值）
　　功率耗散（PD）：125W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-3P

FQA20N80具有多项优良特性，使其在功率应用中表现出色。首先，其高达800V的漏源电压（VDS）使其适用于高电压环境，如开关电源和功率因数校正（PFC）电路。其次，导通电阻RDS(on)的典型值为0.22Ω，能够在导通状态下减少功率损耗，提高系统效率。
　　该器件的连续漏极电流能力为20A，适用于中高功率负载应用，例如电机驱动和电源转换器。此外，FQA20N80的栅源电压范围为±30V，具备良好的栅极驱动兼容性，可与多种驱动电路配合使用。
　　采用TO-3P封装，FQA20N80具有良好的散热性能，确保在高功率操作下保持稳定工作温度。同时，其工作温度范围从-55°C至+150°C，适用于各种工业和汽车环境。此外，该MOSFET具备高雪崩能量耐受能力，能够在突发电压冲击下保持稳定工作，提高系统可靠性。

FQA20N80广泛应用于多种功率电子设备中。常见的应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、电机控制模块、功率因数校正（PFC）电路以及工业自动化设备中的功率开关部分。
　　在开关电源中，FQA20N80可用于主开关或同步整流器，其高耐压和低导通电阻特性有助于提升电源转换效率。在DC-DC转换器中，该器件适用于升压（Boost）或降压（Buck）拓扑结构，满足高效率和高稳定性的需求。在电机控制中，FQA20N80可作为H桥结构中的开关元件，支持高电流负载驱动。
　　此外，该MOSFET还可用于LED照明驱动、电池管理系统（BMS）以及家用电器中的功率控制模块。由于其良好的热性能和高可靠性，也适用于车载电子系统和新能源设备中的功率控制环节。

FQA24N80, FQA16N80, FQA28N80, IRFBC30, FQP20N80