时间：2025/7/8 17:48:23
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FQA19N60是一款由Fairchild（现为ON Semiconductor）生产的高压MOSFET，采用N沟道增强型技术。该器件适用于高效率开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和逆变器等应用。其额定电压为600V，连续漏极电流为19A（在25°C时），具备低导通电阻和高雪崩能力的特点，能够有效降低功率损耗并提高系统可靠性。
FQA19N60的封装形式通常为TO-247或DPAK，适合表面贴装和通孔安装，广泛应用于工业和消费电子领域。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：19A
栅极阈值电压：4V
导通电阻：0.18Ω
总功耗：230W
结温范围：-55℃至+150℃
1. 高耐压能力：额定电压高达600V，适用于高压应用场景。
2. 低导通电阻：导通电阻仅为0.18Ω，有助于减少导通损耗。
3. 快速开关性能：具备低输入电容和输出电荷，支持高频开关操作。
4. 高雪崩能量能力：增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
5. 热稳定性：能够在宽温度范围内稳定工作，适应各种环境条件。
6. 小型化设计：支持表面贴装封装，节省PCB空间。
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 电机驱动
4. 逆变器
5. UPS不间断电源
6. LED照明驱动
7. 工业控制和家电设备中的功率管理模块
IRFP460,
STP19NF55,
IXFN19N60T,
BUK9N19-60E,
FDP19N60
