时间：2025/12/29 14:01:53
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FQA19N20是一款由Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）推出的高性能N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源转换、DC-DC转换器、电机控制、开关电源（SMPS）等高功率场合。该器件采用先进的平面条形FET技术和优化的封装设计，以提供更高的效率和更低的导通损耗。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：200V
漏极电流（ID）：19A（在25°C）
导通电阻（RDS(on)）：0.165Ω（最大值）
栅极阈值电压（VGS(th)）：2V~4V
工作温度范围：-55°C~150°C
封装形式：TO-262、TO-220等
功耗（PD）：83W
FQA19N20具备多个优异的电气特性，适用于各种高效率电源系统设计。其主要特点包括低导通电阻（RDS(on)），有效降低了导通损耗，提高了系统效率；高耐压能力（200V VDS）使其适用于中高功率电源应用，如开关电源和电机驱动；优化的封装设计有助于提高散热性能，从而增强器件的可靠性。
该MOSFET采用先进的平面条形技术，提供更强的电流承载能力和更低的开关损耗。此外，FQA19N20具有良好的热稳定性，可在高温环境下稳定工作，适用于工业级应用需求。其栅极驱动电压范围适中（通常为10V驱动），兼容常见的MOSFET驱动电路，便于集成到各种功率电路中。
该器件的短路耐受能力较强，能够在瞬态负载条件下保持稳定运行，适用于需要高可靠性的电源系统。同时，其低输入电容（Ciss）和快速开关特性有助于提高系统的动态响应能力，适用于高频开关应用。
FQA19N20主要应用于各类高功率电子系统中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC降压/升压转换器、UPS不间断电源、电机控制电路、逆变器以及工业自动化设备中的功率开关模块。由于其具备高耐压和低导通电阻，非常适合用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统。
在汽车电子领域，FQA19N20可用于车载充电器、LED车灯驱动电源、电动助力转向系统（EPS）以及车载逆变器等应用。在消费类电子产品中，常用于高性能电源适配器、大功率LED照明驱动等场合。此外，在太阳能逆变器和储能系统中，该器件也可作为主功率开关使用，以提高能源转换效率。
FQA20N20、FQA16N20、IRFPG50、STP20N20
