类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：800V
　　最大漏极电流(Id)：15A（连续）
　　导通电阻(Rds(on))：典型值0.45Ω（在Vgs=10V时）
　　最大功耗(Pd)：125W
　　栅极阈值电压(Vgs(th))：2V至4V
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：TO-220、TO-3P、D2PAK等

FQA15N80C具有多个显著的电气和热性能优势。首先，其高达800V的漏源击穿电压使其非常适合用于高电压应用，例如工业电源和马达驱动电路。其次，该MOSFET的导通电阻较低，典型值为0.45Ω，有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，FQA15N80C具备较高的热稳定性和良好的散热能力，能够在高功率条件下保持稳定运行，减少因温度升高导致的性能下降。
　　该器件还采用了先进的平面技术，增强了其耐用性和可靠性。在开关应用中，FQA15N80C具有快速的开关速度，能够有效减少开关损耗并提高系统的动态响应能力。其栅极驱动电压范围较宽，通常可在10V左右驱动，以实现最佳导通状态。此外，该MOSFET还具备良好的抗雪崩能力和过载保护功能，使其在恶劣的工作环境下依然能够保持稳定运行。
　　由于其TO-220、TO-3P或D2PAK等封装形式，FQA15N80C易于安装在标准的PCB板上，并可通过散热片进一步提升散热效率。这种封装结构也使其在高电流和高功率应用中具有良好的机械强度和长期稳定性。

FQA15N80C被广泛应用于多种功率电子设备中，例如：
　　1. **电源转换器**：如AC-DC电源、DC-DC转换器和开关电源（SMPS），用于实现高效的电能转换。
　　2. **马达驱动器**：在电动工具、工业自动化设备和机器人控制系统中，作为功率开关使用。
　　3. **照明系统**：包括LED驱动电源和高频镇流器。
　　4. **新能源设备**：如太阳能逆变器和储能系统中的功率控制模块。
　　5. **家电控制**：用于洗衣机、空调等家用电器中的负载开关和功率调节电路。
　　该MOSFET特别适用于需要高电压耐受能力和中等电流处理能力的应用场景，是工业、消费电子和自动化控制系统中的常用元件。

FQA16N80C, FQA18N80C, FQP15N80C, FQA15N80CF