类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：650V
　　漏极电流（Id）：15A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.38Ω（典型值）
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：2V~4V
　　工作温度范围：-55°C~150°C
　　封装形式：TO-220

FQA15N65具有多项优异的电气和热性能，适合用于高电压和中高功率的应用场景。其主要特性包括：
　　1. **高耐压能力**：FQA15N65的漏源电压额定值为650V，能够承受较高的电压应力，适用于高压电源和转换器设计。
　　2. **低导通电阻**：典型导通电阻为0.38Ω，降低了导通损耗，提高了整体效率。
　　3. **大电流承载能力**：最大漏极电流为15A，适用于中等功率应用，如电源适配器、照明镇流器和电机控制。
　　4. **良好的热稳定性**：采用TO-220封装，具有良好的散热性能，能够在较高工作温度下稳定运行。
　　5. **快速开关特性**：具备较低的栅极电荷和开关损耗，适合高频开关应用，如PWM控制和DC-DC转换器。
　　6. **高可靠性**：经过严格的测试和验证，确保在恶劣工作条件下仍能保持稳定性和长寿命。
　　7. **广泛的工作温度范围**：可在-55°C至150°C之间正常工作，适应多种环境条件。

FQA15N65广泛应用于各种功率电子系统中，包括：
　　1. **开关电源（SMPS）**：如AC-DC适配器、充电器、PC电源等，作为主开关或同步整流器件。
　　2. **DC-DC转换器**：用于电压调节模块（VRM）、电池充电和放电管理电路中。
　　3. **照明系统**：在电子镇流器、LED驱动器和HID灯控制电路中作为功率开关。
　　4. **工业控制**：用于电机驱动、变频器和自动化设备中的功率控制模块。
　　5. **家电设备**：如电磁炉、微波炉等高功率家用电器中的功率调节电路。
　　6. **新能源领域**：应用于太阳能逆变器、储能系统和电动汽车充电模块中。

FQA16N65, FQA18N65, FQA13N65, FQA14N65