时间：2025/9/7 5:08:19
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FQ08G 是一款常见的功率场效应晶体管（MOSFET），主要用于电源管理和开关应用。该器件采用先进的平面工艺制造，具有高可靠性、低导通电阻和优良的热性能，适用于各类中高功率电子设备。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流：8A
最大漏源电压：600V
导通电阻（Rds(on)）：0.8Ω
功率耗散：50W
工作温度范围：-55℃至+150℃
封装形式：TO-220
FQ08G具备低导通电阻特性，能够有效降低导通损耗，提高系统效率。其高耐压能力（600V）使其适用于多种高压开关电路。此外，该器件具有良好的热稳定性和过载能力，可在高温环境下稳定工作。
该MOSFET采用TO-220封装，便于安装和散热管理，适用于通用开关电源、DC-DC转换器、电机控制及照明设备等应用场景。FQ08G还具有快速开关特性，有助于提高电路响应速度，降低开关损耗。
其制造工艺确保了器件的一致性和可靠性，能够在高频率下稳定运行。此外，FQ08G具有良好的抗静电能力，提升了在实际应用中的安全性。
FQ08G广泛应用于电源适配器、LED照明驱动器、电动工具、工业控制设备以及各种中高功率开关电源。此外，它也适用于逆变器、充电器、不间断电源（UPS）和电机驱动系统等场合。
FQA8N60C, FQPF08N60C, IRF840, STP8NK60Z
