FQ08F 时间：2025/9/7 3:52:50 阅读：12

FQ08F 是一款由富士电机（Fuji Electric）制造的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率电源转换和开关应用。该器件采用了先进的沟槽栅极技术，以提供较低的导通电阻和优异的开关性能。FQ08F特别适用于如DC-DC转换器、电池充电器、电源管理模块以及工业自动化设备等高频电源系统。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：30V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：120A（在25°C时）
　　导通电阻(Rds(on))：最大为8mΩ（在Vgs=10V时）
　　功率耗散(Pd)：200W
　　工作温度范围：-55°C至+175°C
　　封装形式：TO-220AB

特性

FQ08F MOSFET的核心特性在于其极低的导通电阻（Rds(on)），这可以显著降低导通损耗并提高电源转换效率。由于采用了先进的沟槽栅极设计，该器件在高频开关应用中表现出色，能够有效减少开关损耗。
　　此外，FQ08F具有高电流承载能力，最大连续漏极电流可达120A，适合用于高功率密度的设计。其200W的功率耗散能力也确保了在高负载条件下依然可以稳定运行。
　　该器件的封装形式为TO-220AB，这种封装不仅提供了良好的散热性能，而且便于安装在散热片上，从而增强热管理能力。FQ08F还具有宽泛的工作温度范围（-55°C至+175°C），使其适用于严苛的工作环境。
　　同时，FQ08F的栅极驱动要求较低，能够在10V的栅源电压下实现完全导通，这使得它与常见的电源控制器兼容性良好，并简化了驱动电路设计。