型号：FPV5750E180PKT
　　制造商：ON Semiconductor (ONSEMI)
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：750 V
　　最大漏极电流（Id）：11 A（连续）
　　最大脉冲漏极电流（Idm）：44 A
　　最大耗散功率（Pd）：200 W
　　导通电阻（Rds(on)）：180 mΩ（@ Vgs = 10 V, Id = 5.5 A）
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：3.0 V ~ 4.5 V
　　输入电容（Ciss）：1200 pF @ Vds = 25 V
　　输出电容（Coss）：220 pF @ Vds = 25 V
　　反向恢复时间（trr）：35 ns
　　二极管正向电压（Vf）：1.6 V @ If = 11 A
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：PowerDI5x7

FPV5750E180PKT采用安森美独有的超级结（Super Junction）技术，这种结构通过交替排列P型和N型柱状区域，极大提升了器件的耐压能力，同时显著降低单位面积下的导通电阻。这一特性使得该MOSFET在高电压应用中仍能保持较低的导通损耗，从而提升整个电源系统的转换效率。特别是在PFC（功率因数校正）升压电路中，该器件能够有效减少能量损耗，满足能源之星和欧盟CoC等能效标准要求。
　　该MOSFET具有优异的开关性能。其输入电容和反向传输电容（Cres）经过优化，减小了高频开关时的驱动损耗和米勒效应影响，使器件更适合用于高达数百kHz的开关频率场景。配合低栅极电荷（Qg）设计，可进一步降低驱动电路的功耗，提高系统整体效率。此外，其快速的反向恢复时间（trr）有效抑制了体二极管在关断时的反向恢复电流尖峰，减少了电磁干扰（EMI）并防止桥臂直通风险，提升了系统稳定性。
　　在热管理方面，PowerDI5x7封装提供了较大的焊盘面积，有利于热量从芯片传导至PCB，实现高效的自然散热或风冷散热。该封装无引线设计也降低了寄生电感，有助于改善高频下的开关波形质量。器件还具备优良的抗雪崩能力，能够在短时过压或负载突变情况下承受一定的能量冲击而不损坏，增强了电源系统的鲁棒性。
　　FPV5750E180PKT符合AEC-Q101汽车级可靠性认证，表明其在极端温度循环、湿度、机械应力等条件下仍能保持稳定性能，因此不仅适用于工业级电源，也可用于车载充电机（OBC）或DC-DC转换器等汽车电子系统。其无铅、无卤素的设计也符合现代环保法规要求，支持回流焊和波峰焊等多种装配工艺。

FPV5750E180PKT广泛应用于各类高效率开关电源系统中，尤其适用于功率因数校正（PFC）电路模块，包括连续导通模式（CCM）、临界导通模式（CrM）和断续导通模式（DCM）拓扑结构。常见于通信电源、服务器PSU、工业自动化设备电源单元、LED大功率驱动电源以及光伏微型逆变器等产品中。
　　在数据中心和高性能计算设备中，该器件用于构建高密度、高可靠性的AC-DC转换器前端，以满足80 PLUS钛金等级的超高能效需求。其低Rds(on)和快速开关特性有助于降低系统温升，延长设备寿命。
　　此外，该MOSFET也被用于电动汽车车载充电机（OBC）中的升压变换器部分，支持单相甚至三相电网接入，实现高效能量转换与回馈。在新能源储能系统中，它可用于双向DC-DC变换器的主开关元件，提升充放电效率。
　　由于其具备良好的热性能和电气稳定性，FPV5750E180PKT还可用于工业电机驱动、UPS不间断电源、医疗电源等对安全性和可靠性要求较高的场合。其宽工作温度范围也使其适用于户外或恶劣环境下的电力电子装置。

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　　 "FCH750N65S3",
　　 "STW75N65M2",
　　 "IPW65R190CFD",
　　 "SIHPX30N75T",
　　 "APT75GN60JRD"
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