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FPV201209G3R3PMT 发布时间 时间:2025/12/28 1:22:05 查看 阅读:14

FPV201209G3R3PMT是一款高性能、高精度的电压基准芯片,广泛应用于需要稳定参考电压的精密模拟电路中。该器件由知名半导体制造商生产,采用先进的薄膜电阻和齐纳二极管技术,确保在宽温度范围内提供极其稳定的输出电压。其标称输出电压为3.3V,具有极低的初始精度误差和长期漂移特性,适用于工业测量设备、数据采集系统、医疗仪器以及高分辨率模数转换器(ADC)和数模转换器(DAC)的参考源。FPV201209G3R3PMT采用小型化表面贴装封装,便于在高密度PCB布局中使用,同时具备良好的热稳定性和抗噪声能力。该器件的工作温度范围通常覆盖工业级标准(-40°C至+125°C),能够在恶劣环境条件下保持可靠的性能表现。此外,它还具备低功耗特性,适合电池供电或对能效有严格要求的应用场景。通过优化内部电路设计,FPV201209G3R3PMT有效抑制了温度系数、噪声和输出电压波动,从而提升了整体系统的测量精度与稳定性。

参数

型号:FPV201209G3R3PMT
  输出电压:3.3V
  初始精度:±0.05%
  温度系数:5ppm/°C(典型值)
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C
  输出电流能力:±10mA
  长期稳定性:20ppm/√kHr
  噪声(0.1Hz~10Hz):3μVp-p
  电源电压范围:4.5V 至 15V
  封装形式:SOT-23-3
  功耗:典型值 15mW
  线性调整率:8ppm/V
  负载调整率:12ppm/mA

特性

FPV201209G3R3PMT的核心优势在于其卓越的电压稳定性和极低的温漂特性,这使其成为高端精密电子系统中的关键元件。该芯片采用专有的埋入式齐纳二极管结构,在保证高击穿电压稳定性的同时,大幅降低了传统带隙基准所面临的1/f噪声和老化效应问题。其温度补偿机制结合激光微调薄膜电阻网络,确保在整个工作温度范围内维持极高的输出精度。这种设计不仅提高了温度系数的一致性,也显著减少了因环境变化引起的测量偏差。
  另一个重要特性是其出色的噪声性能。在低频段(0.1Hz~10Hz)内,FPV201209G3R3PMT的峰峰值噪声仅为3μV,远低于普通基准源,这对于高分辨率ADC(如24位Σ-Δ型转换器)至关重要,能够有效提升信噪比和有效位数(ENOB)。此外,该器件具备优异的动态响应能力,即使在负载突变或电源扰动情况下也能快速恢复稳定输出,避免系统误操作或采样失真。
  FPV201209G3R3PMT还集成了多重保护功能,包括反向电压保护、过热关断和短路限流机制,增强了在复杂电磁环境下的鲁棒性。其SOT-23-3小尺寸封装不仅节省PCB空间,还通过优化引脚布局降低寄生电感和热应力影响,进一步提升高频应用中的信号完整性。由于其宽输入电压范围(4.5V~15V),可兼容多种电源架构,无需额外稳压即可直接接入系统电源轨,简化了外围电路设计。总之,该器件在精度、稳定性和可靠性方面均达到行业领先水平,适用于对性能要求极为严苛的应用场合。

应用

FPV201209G3R3PMT广泛用于各类高精度模拟和混合信号系统中。典型应用场景包括精密数据采集系统,其中作为ADC或DAC的参考电压源,确保转换结果的高度准确性和重复性;在工业自动化领域,常用于PLC模块、传感器信号调理电路以及称重仪表等设备,以提高测量分辨率和长期稳定性。
  在测试与测量仪器中,如数字万用表、示波器和源测量单元(SMU),该芯片为内部基准提供支撑,直接影响整机精度等级。医疗电子设备,例如病人监护仪、血糖仪和便携式诊断装置,也依赖此类高稳定性电压基准来保障生命体征数据的可信度。
  此外,在通信基础设施中,FPV201209G3R3PMT可用于射频前端模块的偏置电路或高速数据转换器的参考源,帮助维持链路动态范围和线性度。航空航天与国防系统中,因其宽温工作能力和高可靠性,被用于惯性导航、雷达信号处理和卫星遥测单元。
  对于科研级仪器,如锁相放大器、高精度电源和量子传感装置,该器件同样发挥着不可替代的作用。得益于其低功耗和小封装特性,FPV201209G3R3PMT也适用于便携式和电池供电设备,在延长续航时间的同时不牺牲测量质量。总体而言,任何需要长期稳定、低噪声、高精度参考电压的应用都可考虑采用此款电压基准芯片。

替代型号

REF5033
  LTZ1000
  ADR4533
  MAX6325

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