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FPQ2907 发布时间 时间:2025/8/25 0:18:52 查看 阅读:12

FPQ2907 是一款由 Fairchild Semiconductor(飞兆半导体)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关以及电机控制等场景。该器件采用先进的工艺制造,具备较低的导通电阻(RDS(on)),有助于减少导通损耗并提高系统效率。FPQ2907 通常封装在 TO-220 或 DPAK 等常见的功率封装中,便于散热和安装。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏极电流(ID):7.0A
  最大漏源电压(VDS):60V
  最大栅源电压(VGS):±20V
  导通电阻(RDS(on)):0.44Ω @ VGS = 10V
  栅极电荷(Qg):13nC
  工作温度范围:-55°C 至 150°C
  封装类型:TO-220、DPAK

特性

FPQ2907 的核心优势在于其低导通电阻,这使其在高电流应用中表现出色,显著降低功率损耗。其最大漏源电压为 60V,适用于中等电压功率转换系统。该 MOSFET 的栅极电荷较低(13nC),有助于加快开关速度,从而减少开关损耗,提高整体效率。
  此外,FPQ2907 具备良好的热稳定性和耐用性,能够在 -55°C 至 150°C 的宽温度范围内稳定工作,适合工业级和汽车电子应用。其 ±20V 的最大栅源电压允许使用标准的栅极驱动器进行控制,提高了设计的灵活性。
  封装方面,TO-220 和 DPAK 封装不仅便于安装在 PCB 上,还提供了良好的散热性能,有助于延长器件寿命并提升系统可靠性。FPQ2907 的封装设计也支持自动化生产和表面贴装工艺,降低了制造成本。

应用

FPQ2907 主要应用于电源管理系统,例如 DC-DC 降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器和电池管理系统。在消费类电子产品中,它可用于笔记本电脑、平板电脑、智能手机的电源管理模块。在工业自动化设备中,FPQ2907 可作为高效率开关元件,用于控制电机、继电器和传感器的供电。
  在汽车电子系统中,FPQ2907 常用于车载充电器、LED 照明控制系统、车载娱乐系统以及电动助力转向系统。其高可靠性和良好的热管理能力使其在恶劣环境中也能稳定运行。
  此外,FPQ2907 还适用于太阳能逆变器、UPS(不间断电源)系统、工业电源模块等需要高效率功率开关的场合。其低导通电阻和快速开关特性可有效提升系统能效,降低功耗。

替代型号

FDPF2907, FQP2907, IRFZ44N, IRLZ44N

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