FPM3519 时间：2025/9/1 19:15:12 阅读：11

FPM3519 是一款由 Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）生产的场效应晶体管（MOSFET），主要设计用于高效率电源管理应用。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，具备较低的导通电阻（Rds(on)）和卓越的热性能，适用于同步整流、DC-DC 转换器、负载开关以及电池管理系统等场景。FPM3519 采用小型化封装，有助于节省PCB空间并提高系统集成度。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：8.5A（在25°C）
　　导通电阻（Rds(on)）：17mΩ（最大值，Vgs=10V）
　　功耗（Pd）：2.8W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：PowerPAK SO-8

特性

FPM3519 是一款高性能 N 沟道 MOSFET，其核心特性在于其低导通电阻（Rds(on)），可显著降低导通损耗，提高系统效率。该器件采用了先进的沟槽式技术，优化了电流传导路径，从而提升了电流处理能力和热稳定性。此外，FPM3519 具备良好的栅极电荷（Qg）特性，有助于降低开关损耗，适用于高频开关电源应用。
　　FPM3519 的封装设计具有优良的热管理性能，能够在高负载条件下保持稳定运行，同时支持快速热沉传导。其高耐压能力（Vds=30V）使其适用于多种中低电压功率转换场景。此外，该器件的栅极驱动电压范围较宽（支持4.5V至10V驱动），兼容多种驱动IC，提升了设计灵活性。
　　该MOSFET还具备出色的短路和过载保护能力，增强了系统的可靠性和稳定性。其封装形式为PowerPAK SO-8，适用于表面贴装工艺，有助于提高生产效率并减少PCB面积占用。

应用

FPM3519 广泛应用于多种电源管理系统和功率转换电路中。常见的应用包括同步整流器、降压/升压型DC-DC转换器、负载开关、电池充电和管理系统（BMS）、电源管理单元（PMU）以及各种便携式电子设备中的高效能开关元件。由于其低导通电阻和高频特性，FPM3519 也非常适合用于服务器、笔记本电脑、工业控制系统以及电信设备中的高效率电源模块。