您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > FPD3000SOT89E

FPD3000SOT89E 发布时间 时间:2025/8/16 2:33:35 查看 阅读:29

FPD3000SOT89E是一款由Fairchild(飞兆半导体)生产的N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用SOT-89封装形式。该器件专为需要高效率和快速开关性能的应用而设计,如电源管理、DC-DC转换器、负载开关和马达控制等。FPD3000SOT89E以其低导通电阻、高耐压能力以及优良的热性能,成为许多功率电子设备中的关键组件。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏极电流(ID):3A
  漏源击穿电压(VDS):30V
  栅源击穿电压(VGS):20V
  导通电阻(RDS(on)):60mΩ(典型值)
  功率耗散(PD):1.5W
  工作温度范围:-55°C 至 150°C
  封装类型:SOT-89

特性

FPD3000SOT89E具有多个显著的技术特性,使其适用于广泛的功率电子应用。首先,其低导通电阻(RDS(on))确保了在高电流条件下仍能保持较低的功率损耗,提高了整体能效。此外,该MOSFET具备较高的耐压能力,漏源电压(VDS)可达30V,能够承受瞬态电压波动,提高系统的可靠性。
  该器件的栅极驱动电压范围较宽,支持常见的3.3V至12V逻辑电平控制,便于与不同类型的控制器或驱动电路配合使用。同时,其SOT-89封装形式不仅体积小巧,适合高密度PCB布局,还具备良好的散热性能,能够在较高环境温度下稳定工作。
  FPD3000SOT89E的快速开关特性降低了开关损耗,提高了转换效率,适用于高频开关电源应用。其优异的热稳定性与坚固的封装结构,也使得该器件在恶劣工作环境下仍能保持稳定运行。此外,该MOSFET的低输入电容和栅极电荷(Qg)进一步提升了其动态响应能力,使其适用于要求快速切换的电源转换系统。

应用

FPD3000SOT89E广泛应用于多种电源管理和功率控制电路中,例如DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电池管理系统、负载开关控制以及马达驱动电路。由于其高效能和紧凑封装,该器件也常用于便携式电子产品、工业自动化设备、汽车电子系统和LED照明驱动器等场景。此外,它还可用于电源管理IC(PMIC)外围电路,作为功率开关使用,实现对负载的高效控制。

替代型号

FDS6680, IRF7404, SI4435DY, NDS355AN, FDN340P

FPD3000SOT89E推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

FPD3000SOT89E资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载