FPD3000SOT89E 时间：2025/8/16 2:33:35 阅读：35

FPD3000SOT89E是一款由Fairchild（飞兆半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用SOT-89封装形式。该器件专为需要高效率和快速开关性能的应用而设计，如电源管理、DC-DC转换器、负载开关和马达控制等。FPD3000SOT89E以其低导通电阻、高耐压能力以及优良的热性能，成为许多功率电子设备中的关键组件。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：3A
　　漏源击穿电压（VDS）：30V
　　栅源击穿电压（VGS）：20V
　　导通电阻（RDS(on)）：60mΩ（典型值）
　　功率耗散（PD）：1.5W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：SOT-89

特性

FPD3000SOT89E具有多个显著的技术特性，使其适用于广泛的功率电子应用。首先，其低导通电阻（RDS(on)）确保了在高电流条件下仍能保持较低的功率损耗，提高了整体能效。此外，该MOSFET具备较高的耐压能力，漏源电压（VDS）可达30V，能够承受瞬态电压波动，提高系统的可靠性。
　　该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持常见的3.3V至12V逻辑电平控制，便于与不同类型的控制器或驱动电路配合使用。同时，其SOT-89封装形式不仅体积小巧，适合高密度PCB布局，还具备良好的散热性能，能够在较高环境温度下稳定工作。
　　FPD3000SOT89E的快速开关特性降低了开关损耗，提高了转换效率，适用于高频开关电源应用。其优异的热稳定性与坚固的封装结构，也使得该器件在恶劣工作环境下仍能保持稳定运行。此外，该MOSFET的低输入电容和栅极电荷（Qg）进一步提升了其动态响应能力，使其适用于要求快速切换的电源转换系统。

应用

FPD3000SOT89E广泛应用于多种电源管理和功率控制电路中，例如DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电池管理系统、负载开关控制以及马达驱动电路。由于其高效能和紧凑封装，该器件也常用于便携式电子产品、工业自动化设备、汽车电子系统和LED照明驱动器等场景。此外，它还可用于电源管理IC（PMIC）外围电路，作为功率开关使用，实现对负载的高效控制。