FP6290HdR-G1 是一款高性能的 N 沣道通 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于电源管理、开关电路和电机驱动等领域。该器件采用了先进的制程技术,具有低导通电阻和高开关速度的特点,能够有效降低功耗并提高系统效率。
FP6290HdR-G1 属于 Fairchild(现为 ON Semiconductor)的功率 MOSFET 产品系列,支持多种工业应用需求。
类型:N沟道 MOSFET
漏源极电压 (Vds):60V
连续漏极电流 (Id):28A
导通电阻 (Rds(on)):4.5mΩ
栅极电荷 (Qg):30nC
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
封装形式:TO-220
最大功耗:160W
FP6290HdR-G1 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少传导损耗,提高整体效率。
2. 快速的开关速度,适合高频应用场合。
3. 较高的漏源极电压 (Vds),可承受更高的瞬态电压。
4. 高温稳定性,能够在恶劣的工作环境下保持性能。
5. 具备出色的热性能,有助于延长器件寿命。
6. 符合 RoHS 标准,绿色环保。
这些特点使得 FP6290HdR-G1 成为许多高效能电源设计的理想选择。
FP6290HdR-G1 可用于以下应用领域:
1. 开关电源 (SMPS) 中的功率转换。
2. 直流-直流 (DC-DC) 转换器中的同步整流。
3. 电机驱动和控制电路。
4. 工业自动化设备中的功率管理。
5. LED 照明驱动电路。
6. 太阳能逆变器和其他新能源相关应用。
其广泛的适用性源于其卓越的电气特性和可靠性。
FP6290HdR, IRFZ44N, FDP5500BL, IXTK28N65L