模块类型：SiC MOSFET模块
　　配置：Half-Bridge
　　漏源电压（VDS）：1200V
　　漏极电流（ID）：55A
　　导通电阻（RDS(on)）：27mΩ（典型值）
　　封装形式：Hybrid Module
　　绝缘耐压：2500Vrms
　　工作温度范围：-40°C ~ +150°C
　　安装方式：螺钉固定
　　尺寸：约100mm x 50mm x 10mm
　　重量：约150g

FP5S055HG2R1200 模块采用富士电机先进的SiC半导体技术，具有极低的开关损耗和导通损耗，非常适合高频开关应用。
　　其低RDS(on)特性使得在高电流条件下也能保持较低的导通压降，从而提高整体系统效率。
　　该模块具有良好的热稳定性，能够适应严苛的工作环境，同时具备较高的可靠性和耐用性。
　　此外，FP5S055HG2R1200 还集成了优化的门极驱动接口，便于在实际应用中实现快速、稳定的控制。
　　模块的封装设计考虑了绝缘性能和机械强度，确保在高压、高电流工作条件下的安全性与稳定性。

FP5S055HG2R1200 主要应用于需要高效率、高功率密度和高频率开关的电力电子系统中，如电动汽车车载充电器（OBC）、DC-DC转换器、工业逆变器、太阳能并网逆变器、储能系统（ESS）以及不间断电源（UPS）等。
　　其优异的性能使其在新能源汽车、智能电网、数据中心电源等高要求领域中表现出色。
　　在电动汽车应用中，该模块可用于车载充电系统或电机驱动系统，提升能效并减小系统体积。
　　在可再生能源领域，FP5S055HG2R1200 可用于光伏逆变器的主功率开关，显著提高系统的整体转换效率和可靠性。

CMF150D120A（Cree/Wolfspeed）、SCT3045AW7（ROHM）、SiC MOSFET模块如Wolfspeed的CMF200D120A、ROHM的BSM300D12P2C101等