FP56X125K251EGG 是一款高性能的功率MOSFET芯片,广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等领域。该芯片采用先进的制造工艺,具备低导通电阻和快速开关特性,能够显著提高系统的效率和可靠性。
FP56X125K251EGG 的设计特别注重降低功耗并提升热性能,适用于高密度和高效率的应用场景。
类型:N-Channel MOSFET
额定电压:125V
额定电流:25A
导通电阻:1.5mΩ
栅极电荷:45nC
最大工作温度范围:-55°C 至 +175°C
封装形式:TO-247
FP56X125K251EGG 具备以下突出特性:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够在高电流条件下有效减少功耗。
2. 快速的开关速度,减少了开关损耗,非常适合高频应用。
3. 高额定电压和电流能力,确保在各种复杂电路中稳定运行。
4. 出色的热性能,提高了器件在高温环境下的可靠性。
5. 良好的抗电磁干扰能力,有助于简化系统设计。
6. 符合RoHS标准,环保且满足国际法规要求。
FP56X125K251EGG 广泛应用于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS)
2. DC-DC转换器
3. 电机驱动
4. 工业自动化设备
5. 通信电源
6. 太阳能逆变器
7. 电动汽车和混合动力汽车中的功率管理模块
8. 各类负载开关应用
FP56X125K251DGG, IRF1250N, FDP125N10ASL