时间：2025/6/17 17:08:12
阅读：3
FP50R12KT4是Fairchild（现为ON Semiconductor）生产的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于多种功率转换应用，如开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等。FP50R12KT4的封装形式为TO-220，便于散热和安装。
FP50R12KT4设计用于中高压应用场景，其额定电压为500V，能够承受较高的反向电压。同时，该器件具备较低的导通电阻，从而减少传导损耗并提高系统效率。
最大漏源电压：500V
连续漏极电流：12A
导通电阻：0.3Ω
栅极电荷：45nC
开关速度：快速
封装形式：TO-220
FP50R12KT4的主要特性包括：
1. 高耐压能力：器件的漏源电压高达500V，适合在高压环境下使用。
2. 低导通电阻：在典型工作条件下，导通电阻仅为0.3Ω，降低了功耗。
3. 快速开关性能：由于其优化的内部结构，FP50R12KT4拥有较快的开关速度，减少了开关损耗。
4. 稳定性高：该器件在高温和高频条件下仍能保持稳定性能。
5. 易于驱动：较低的栅极阈值电压使得驱动电路设计更加简单。
6. TO-220封装：标准的TO-220封装形式方便安装和散热，适用于各种工业场景。
FP50R12KT4适用于以下应用场景：
1. 开关电源（SMPS）：可用于AC-DC或DC-DC转换器中的主开关管。
2. 电机驱动：支持各种类型的电机控制，例如步进电机和无刷直流电机。
3. 工业自动化设备：如变频器、伺服驱动器等对功率管理要求较高的场合。
4. 能量回收系统：在需要高效能量转换的应用中，如太阳能逆变器。
5. 汽车电子：部分车载电器和控制系统可能使用该类MOSFET。
IRFP460,
STP50NF10,
FQP17N50
