时间：2025/6/18 19:18:36
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FP21N221J500PAG是一款由Fairchild（现为ON Semiconductor）生产的高压功率MOSFET。该器件采用N沟道增强型技术，主要设计用于需要高效率和低导通电阻的应用场景。其封装形式为PAC8-14L，适合表面贴装工艺。FP21N221J500PAG具有较高的击穿电压和较低的导通电阻，能够满足工业、汽车及消费类电子领域的各种需求。
FP21N221J500PAG适用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等应用领域，凭借其优异的电气性能和可靠性，在高性能电力电子系统中表现突出。
最大漏源电压：800V
连续漏极电流：7A
导通电阻：3.6Ω
栅极电荷：30nC
输入电容：1200pF
功耗：19W
工作温度范围：-55℃至+150℃
FP21N221J500PAG采用了先进的制造工艺，确保了其在高压下的稳定性和高效性。其主要特性包括：
1. 高耐压能力，可承受高达800V的漏源电压，适用于多种高电压应用场景。
2. 极低的导通电阻（典型值为3.6Ω），减少了功率损耗并提高了整体效率。
3. 快速开关速度，得益于较小的栅极电荷（30nC），可以显著降低开关损耗。
4. 具有良好的热稳定性，能够在极端温度范围内正常工作（-55℃至+150℃）。
5. 封装形式为PAC8-14L，支持高效的表面贴装工艺，简化了装配过程并增强了散热性能。
FP21N221J500PAG广泛应用于需要高效功率转换和控制的场景，主要包括以下领域：
1. 开关电源（SMPS）：如适配器、充电器等。
2. 电机驱动：包括无刷直流电机（BLDC）、步进电机等。
3. DC-DC转换器：用于工业设备、通信基础设施等。
4. 汽车电子：例如车载充电器、LED照明驱动电路。
5. 工业自动化：如变频器、逆变器等功率控制系统。
FP21N221J500PAG凭借其高效率和高可靠性，在上述应用中展现了卓越的性能。
FQA8N80C, IRF840A, STW83N80
