型号：FP216-TL-E
　　制造商：ON Semiconductor (ONSEMI)
　　器件类型：同步降压型DC-DC转换器
　　输入电压范围：4.5V ~ 18V
　　输出电压范围：0.8V ~ 90% VIN
　　最大输出电流：3A
　　开关频率：500kHz
　　工作温度范围：-40°C ~ +125°C
　　封装类型：DFN-8 (2mm x 2mm)
　　静态电流：典型值45μA
　　关断电流：小于1μA
　　反馈参考电压：0.8V ±1%
　　占空比范围：0% ~ 100%
　　控制模式：电流模式PWM
　　集成MOSFET：内置上管与下管
　　保护功能：过流保护、过温保护、短路保护
　　安装方式：表面贴装
　　引脚数：8

FP216-TL-E采用峰值电流模式控制架构，提供了快速的瞬态响应能力和良好的环路稳定性，适用于动态负载变化频繁的应用环境。其内部集成的高边和低边MOSFET显著降低了导通损耗，提高了转换效率，在满载条件下可实现高达95%以上的效率表现。芯片支持轻载时自动进入节能模式（PSM），通过降低开关频率来减少开关损耗，从而提升轻载效率，延长电池供电设备的续航时间。
　　该器件具备出色的线路和负载调整能力，即使输入电压发生波动或负载电流快速变化，也能维持输出电压的高度稳定。其0.8V的精密基准电压源具有±1%的初始精度，确保了输出电压的高精度调节。此外，FP216-TL-E内置软启动功能，可防止启动过程中产生过大的浪涌电流，保护输入电源和后级电路。
　　在保护机制方面，芯片集成了逐周期过流保护，能够实时监测电感电流并在超过阈值时立即限制或关闭开关动作；当芯片结温超过安全限值（通常为150°C）时，热关断电路将自动切断输出，待温度下降后恢复工作，实现自恢复保护。芯片还具备输入欠压锁定（UVLO）功能，确保在输入电压未达到正常工作范围前不会启动，避免异常操作。
　　FP216-TL-E的DFN-8封装具有优异的散热性能，底部带有裸露焊盘，可通过PCB接地层有效散热，适用于高密度布局设计。整个芯片设计符合RoHS环保标准，无铅且绿色环保。由于其高度集成化和高可靠性，FP216-TL-E成为现代高效电源设计中的理想选择之一。

FP216-TL-E广泛应用于各类中高功率密度的直流电源系统中，尤其适合需要高效、小体积电源方案的便携式电子设备。常见应用包括智能手机和平板电脑的中间总线转换、机顶盒和家庭网关中的多路供电系统、工业传感器和PLC控制器的现场电源模块，以及网络通信设备如路由器、交换机中的板级电源设计。
　　在消费类电子产品中，该芯片可用于为微处理器、FPGA、ASIC等核心数字芯片提供稳定的内核电压和I/O电压。例如，在智能穿戴设备中，FP216-TL-E可以将单节或多节锂电池的电压高效地降至1.8V或3.3V，供蓝牙模块、加速度传感器和显示屏使用。在工业自动化领域，它可作为隔离电源前端的非隔离二次侧稳压器，满足EMI和效率双重要求。
　　此外，FP216-TL-E也适用于LED驱动电源、汽车电子辅助系统（如车载信息娱乐系统、行车记录仪）以及无人机和机器人控制系统中的电源管理单元。其宽输入电压范围使其能够兼容12V和5V系统母线电压，适应多种供电环境。得益于其良好的热性能和紧凑尺寸，该芯片特别适合在密闭空间或高温环境下长期稳定运行，是工业级和商业级应用的理想选择。

NCP63260DR2G
　　LMZ20503TAJ
　　TPS54331DDAR
　　APW7102CS