FP216-TL-E 时间：2025/9/20 12:51:44 阅读：7

FP216-TL-E是一款由ONSEMI（安森美）公司生产的高效率、同步降压型DC-DC转换器芯片，广泛应用于需要高效电源管理的便携式设备和嵌入式系统中。该器件采用固定频率脉宽调制（PWM）控制方式，能够在宽输入电压范围内稳定工作，同时提供精确的输出电压调节。FP216-TL-E集成了上管和下管功率MOSFET，减少了外部元件数量，简化了电路设计，并提升了整体效率。其封装形式为小型化的DFN-8（2mm x 2mm），非常适合对空间有严格要求的应用场景。
　　该芯片具备多种保护功能，包括过流保护（OCP）、过温保护（OTP）以及输出短路保护，确保在异常工作条件下仍能安全运行。此外，FP216-TL-E支持高达3A的持续输出电流，输出电压可通过外部电阻进行调节，也可选择固定输出版本，具有良好的负载调整率和线路调整率。由于其高集成度和优良的热性能，FP216-TL-E常用于智能手机、平板电脑、无线模块、物联网设备以及其他低功耗消费类电子产品中作为主电源或辅助电源解决方案。

参数

型号：FP216-TL-E
　　制造商：ON Semiconductor (ONSEMI)
　　器件类型：同步降压型DC-DC转换器
　　输入电压范围：4.5V ~ 18V
　　输出电压范围：0.8V ~ 90% VIN
　　最大输出电流：3A
　　开关频率：500kHz
　　工作温度范围：-40°C ~ +125°C
　　封装类型：DFN-8 (2mm x 2mm)
　　静态电流：典型值45μA
　　关断电流：小于1μA
　　反馈参考电压：0.8V ±1%
　　占空比范围：0% ~ 100%
　　控制模式：电流模式PWM
　　集成MOSFET：内置上管与下管
　　保护功能：过流保护、过温保护、短路保护
　　安装方式：表面贴装
　　引脚数：8

特性

FP216-TL-E采用峰值电流模式控制架构，提供了快速的瞬态响应能力和良好的环路稳定性，适用于动态负载变化频繁的应用环境。其内部集成的高边和低边MOSFET显著降低了导通损耗，提高了转换效率，在满载条件下可实现高达95%以上的效率表现。芯片支持轻载时自动进入节能模式（PSM），通过降低开关频率来减少开关损耗，从而提升轻载效率，延长电池供电设备的续航时间。
　　该器件具备出色的线路和负载调整能力，即使输入电压发生波动或负载电流快速变化，也能维持输出电压的高度稳定。其0.8V的精密基准电压源具有±1%的初始精度，确保了输出电压的高精度调节。此外，FP216-TL-E内置软启动功能，可防止启动过程中产生过大的浪涌电流，保护输入电源和后级电路。
　　在保护机制方面，芯片集成了逐周期过流保护，能够实时监测电感电流并在超过阈值时立即限制或关闭开关动作；当芯片结温超过安全限值（通常为150°C）时，热关断电路将自动切断输出，待温度下降后恢复工作，实现自恢复保护。芯片还具备输入欠压锁定（UVLO）功能，确保在输入电压未达到正常工作范围前不会启动，避免异常操作。
　　FP216-TL-E的DFN-8封装具有优异的散热性能，底部带有裸露焊盘，可通过PCB接地层有效散热，适用于高密度布局设计。整个芯片设计符合RoHS环保标准，无铅且绿色环保。由于其高度集成化和高可靠性，FP216-TL-E成为现代高效电源设计中的理想选择之一。

应用

FP216-TL-E广泛应用于各类中高功率密度的直流电源系统中，尤其适合需要高效、小体积电源方案的便携式电子设备。常见应用包括智能手机和平板电脑的中间总线转换、机顶盒和家庭网关中的多路供电系统、工业传感器和PLC控制器的现场电源模块，以及网络通信设备如路由器、交换机中的板级电源设计。
　　在消费类电子产品中，该芯片可用于为微处理器、FPGA、ASIC等核心数字芯片提供稳定的内核电压和I/O电压。例如，在智能穿戴设备中，FP216-TL-E可以将单节或多节锂电池的电压高效地降至1.8V或3.3V，供蓝牙模块、加速度传感器和显示屏使用。在工业自动化领域，它可作为隔离电源前端的非隔离二次侧稳压器，满足EMI和效率双重要求。
　　此外，FP216-TL-E也适用于LED驱动电源、汽车电子辅助系统（如车载信息娱乐系统、行车记录仪）以及无人机和机器人控制系统中的电源管理单元。其宽输入电压范围使其能够兼容12V和5V系统母线电压，适应多种供电环境。得益于其良好的热性能和紧凑尺寸，该芯片特别适合在密闭空间或高温环境下长期稳定运行，是工业级和商业级应用的理想选择。