型号：FP1F3PT2B
　　极性：P沟道
　　最大漏源电压（VDS）：-20V
　　最大栅源电压（VGS）：±12V
　　连续漏极电流（ID）：-2.7A（@TA=25°C）
　　脉冲漏极电流（IDM）：-5.4A
　　导通电阻RDS(on)：85mΩ（@VGS=-4.5V）
　　导通电阻RDS(on)：100mΩ（@VGS=-2.5V）
　　栅极阈值电压（Vth）：-0.6V ~ -1.0V
　　输入电容（Ciss）：330pF（@VDS=10V）
　　开启延迟时间（td(on)）：约10ns
　　关断延迟时间（td(off)）：约25ns
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-723

FP1F3PT2B具备出色的直流与交流电气性能，其核心优势之一是低导通电阻，这显著降低了在导通状态下的功率损耗，提高了系统的整体能效。尤其是在电池供电设备中，这种低损耗特性可以延长续航时间。该器件在VGS=-4.5V条件下测得的RDS(on)仅为85mΩ，而在更低的驱动电压VGS=-2.5V下仍能保持100mΩ的低阻值，说明其非常适合于使用3.3V或1.8V逻辑电平直接驱动的应用场景。这一特性使得FP1F3PT2B在现代低压数字控制系统中表现出色，避免了复杂的栅极驱动电路设计。
　　该MOSFET的栅极阈值电压较低且一致性好，典型值约为-0.8V，确保了器件在较宽的输入电压范围内都能可靠开启。同时，由于其P沟道结构，在用于高边开关配置时具有天然的优势，只需将栅极拉低即可导通，简化了控制逻辑。这对于需要频繁进行电源通断管理的系统（如多电源域切换、待机模式控制等）非常有利。
　　FP1F3PT2B的小型化封装（SOT-723）极大地节省了PCB空间，特别适合高度集成的移动设备主板布局。尽管体积微小，但其封装设计考虑了散热需求，通过优化引脚布局和内部连接方式，实现了良好的热传导性能。在实际应用中，即使在较高负载电流下也能维持稳定的温升表现。
　　该器件还具有优良的开关速度，得益于较小的输入电容和输出电容，使其在高频开关操作中响应迅速，减少了开关过渡期间的能量损耗。这对于需要快速响应的负载开关或PWM调光应用尤为重要。此外，ROHM在制造工艺上采用了先进的沟槽式MOSFET技术，提升了单位面积内的载流能力，并有效抑制了短沟道效应，增强了器件的长期稳定性与耐用性。
　　FP1F3PT2B符合RoHS环保标准，不含铅和有害物质，支持无铅焊接工艺，适应现代绿色电子制造的要求。它还具备一定的抗静电能力（HBM ESD耐压可达2000V以上），但在处理过程中仍建议遵循防静电操作规范以确保可靠性。总体而言，这款P沟道MOSFET凭借其高性能、小尺寸和易用性，成为众多便携式电子设备中理想的功率开关解决方案。

FP1F3PT2B主要应用于各类便携式消费电子产品中的电源管理和信号切换功能。常见用途包括智能手机和平板电脑中的电池电源路径管理，例如在充电与放电之间切换主电源通道，或在不同电源源（如USB电源与电池）之间进行选择。它也可用于控制外设模块的供电，如摄像头模组、显示屏背光、Wi-Fi/蓝牙模块等的开启与关闭，实现按需供电以节约能耗。
　　在可穿戴设备（如智能手表、健康监测手环）中，由于空间极其有限且对功耗极为敏感，FP1F3PT2B的小尺寸和低静态功耗特性使其成为理想的负载开关器件。它可以被用来控制传感器、无线通信芯片或显示屏的供电状态，在设备进入休眠模式时切断不必要的电源支路，从而大幅降低待机功耗。
　　此外，该器件也适用于固态照明系统中的LED开关控制，特别是在需要PWM调光的场合，其快速的开关响应能力可确保调光精度和稳定性。在工业与医疗领域的便携式仪器中，FP1F3PT2B可用于隔离故障电路或实现冗余电源切换，提高系统的安全性和可靠性。
　　由于其支持逻辑电平驱动，FP1F3PT2B还能替代传统机械继电器或双极性晶体管（BJT）在低功率开关应用中使用，带来更高的开关速度、更长的使用寿命以及更低的驱动功耗。因此，它也被广泛用于嵌入式控制系统、IoT节点、智能家居传感器等需要高效、静音、长寿命开关元件的场景。

DMG2301U,MCH3119,FDML5614,SI2301DS