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FP1189-G 发布时间 时间:2025/12/26 21:41:15 查看 阅读:19

FP1189-G是一款由Future Electronics或相关制造商推出的高性能电源管理集成电路(PMIC),广泛应用于便携式电子设备和嵌入式系统中。该器件专为高效电压调节和电源分配而设计,适用于对功耗、体积和效率有严格要求的应用场景。FP1189-G通常采用小型化封装技术,如DFN或SOT-23,便于在空间受限的PCB布局中使用。其内部集成了多个功能模块,包括低压差稳压器(LDO)、开关模式电源控制器以及多种保护机制,能够为微处理器、传感器、无线通信模块等提供稳定可靠的电源供应。该芯片支持宽输入电压范围,具备良好的瞬态响应能力和低静态电流特性,有助于延长电池供电设备的工作时间。此外,FP1189-G还可能集成使能控制引脚、电源良好指示输出(PG)以及软启动功能,以增强系统的可配置性和稳定性。由于其高度集成的设计理念,FP1189-G可有效减少外部元件数量,降低整体物料成本并提升系统可靠性。该器件常用于消费类电子产品,如智能手表、TWS耳机、物联网终端设备以及工业传感器节点等场合。为了确保最佳性能,建议在设计时参考官方数据手册中的推荐工作条件、热管理方案和PCB布局指南。

参数

型号:FP1189-G
  封装类型:DFN-6
  输入电压范围:2.5V ~ 5.5V
  输出电压范围:0.8V ~ 3.6V(可调或固定版本)
  最大输出电流:300mA
  静态电流:典型值25μA
  关断电流:小于1μA
  压差电压:典型值180mV @ 300mA
  工作温度范围:-40°C ~ +85°C
  调节精度:±2%
  保护功能:过流保护、过温保护
  反馈参考电压:0.6V
  开关频率:1.2MHz(典型值)
  控制模式:电流模式PWM控制

特性

FP1189-G具备卓越的电源转换效率与出色的动态负载响应能力,能够在输入电压波动或负载突变的情况下维持稳定的输出电压。其采用先进的电流模式脉宽调制(PWM)控制架构,不仅提升了环路稳定性,还增强了对输入电压变化的抑制能力(即具有较高的PSRR)。该芯片内置高精度基准电压源(典型值0.6V),配合外部电阻分压网络可实现精确的输出电压设定,支持从0.8V到3.6V之间的多种标准逻辑电平供电需求。在轻载条件下,FP1189-G可自动切换至省电模式(如PFM模式),显著降低开关损耗和静态功耗,从而提高整体能效,特别适合于电池长期供电的应用场景。
  该器件采用1.2MHz的固定开关频率,允许使用小型陶瓷电感和电容,进一步缩小外围电路尺寸,满足高密度PCB设计要求。内部集成的功率MOSFET具有低导通电阻(Rdson),减少了传导损耗,提高了满载下的转换效率。同时,芯片具备完善的保护机制,包括逐周期电流限制、打嗝模式过流保护以及热关断功能,在发生短路或过载故障时能有效防止器件损坏,并在故障解除后自动恢复运行,提升了系统的安全性和鲁棒性。
  FP1189-G还配备了使能(EN)引脚,允许外部微控制器或电源序列控制器对其进行开启/关闭操作,便于实现多路电源的上电时序管理。部分版本可能提供“Power Good”(PG)状态输出信号,用于向主控芯片反馈电源是否已稳定建立,有助于系统进行复位管理和电源监控。其DFN-6封装具有优良的散热性能,配合适当的PCB铜箔面积设计,可在高环境温度下持续工作而不影响可靠性。

应用

FP1189-G主要应用于需要高效、小尺寸电源解决方案的便携式和低功耗电子设备中。常见用途包括为蓝牙低功耗(BLE)模块、Wi-Fi射频芯片、NFC控制器以及Zigbee等无线通信单元提供核心供电;也可作为微控制器单元(MCU)、数字信号处理器(DSP)或FPGA的辅助电源轨调节器,确保敏感逻辑电路获得干净且稳定的电压供应。在可穿戴设备领域,如智能手环、健康监测仪和TWS耳机中,FP1189-G因其超低静态电流和微型封装优势,成为延长电池续航的关键组件之一。
  此外,该芯片适用于各类物联网(IoT)边缘节点设备,例如智能家居传感器、远程抄表终端和工业自动化仪表,这些设备往往依赖纽扣电池或能量采集系统供电,因此对电源效率和待机功耗极为敏感。FP1189-G的宽输入电压适应能力使其兼容多种电池类型(如锂离子、锂聚合物或碱性电池),并在电池放电过程中保持高效的能量转换。在医疗电子设备中,如便携式血糖仪、体温计和呼吸监测装置,FP1189-G提供的低噪声输出和快速瞬态响应可保障模拟前端(AFE)和ADC模块的测量精度。对于需要多电源轨管理的小型嵌入式系统,FP1189-G还可与其他PMIC协同工作,构建分级供电架构,优化整体能效和系统启动流程。

替代型号

AP2112K-3.3TRG1
  XC6206P33MR
  ME6211C33M5G-N

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FP1189-G参数

  • 制造商TriQuint
  • 产品种类射频JFET晶体管
  • 最大工作温度+ 160 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体SOT-89
  • 封装Reel
  • 最小工作温度- 55 C
  • 工厂包装数量1000
  • 零件号别名1066922